Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
321
TÃTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)] Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
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TÃTULO: <title>Floating gate memory paper transistor</title>
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
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TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
325
TÃTULO: Role of Trimethylboron to Silane Ratio on the Properties of <I>p</I>-Type Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
326
TÃTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
NO MEU: 
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ResearcherID
ORCID | ResearcherID327
TÃTULO: Preface Full Text
AUTORES: Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Phys. Status Solidi (a) - physica status solidi (a), VOLUME: 206, NÚMERO: 9
AUTORES: Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Phys. Status Solidi (a) - physica status solidi (a), VOLUME: 206, NÚMERO: 9
328
TÃTULO: <title>Paper field effect transistor</title>
AUTORES: Fortunato, E; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
AUTORES: Fortunato, E; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
329
TÃTULO: <title>Zinc oxide and related compounds: order within the disorder</title>
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
330
TÃTULO: Self-sustained n-type memory transistor devices based on natural cellulose paper fibers
AUTORES: Rodrigo Martins; Luís Pereira; Pedro Barquinha; Nuno Correia; Gonçalo Gonçalves; Isabel Ferreira; Carlos Dias; Correia N.; Dionísio M.; Silva M.; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Information Display, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Rodrigo Martins; Luís Pereira; Pedro Barquinha; Nuno Correia; Gonçalo Gonçalves; Isabel Ferreira; Carlos Dias; Correia N.; Dionísio M.; Silva M.; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Information Display, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
