Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
441
TÃTULO: <title>Temperature and light-induced degradation effect on a-Si:H photovoltaic PIN device properties</title>
AUTORES: Manuela Vieira; Elvira Fortunato; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Fernando Soares; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
AUTORES: Manuela Vieira; Elvira Fortunato; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Fernando Soares; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
442
TÃTULO: <title>Performances presented by a position-sensitive detector based on amorphous silicon technology</title>
AUTORES: Elvira Fortunato; Manuela Vieira; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Rodrigo Martins; Fernando Soares; Luis A A Ferreira;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
AUTORES: Elvira Fortunato; Manuela Vieira; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Rodrigo Martins; Fernando Soares; Luis A A Ferreira;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
443
TÃTULO: Role of Photodegradation on the \x03C4;Product and Microstructure of the a-Si:H Pin Devices
AUTORES: Vieira, M; Fortunato, E; Lavareda, G; C.N Carvalho; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
AUTORES: Vieira, M; Fortunato, E; Lavareda, G; C.N Carvalho; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
444
TÃTULO: Large Area Position Sensitive Detector Based on Amorphous Silicon Technology
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Ferreira, L; C.N Carvalho; Lavareda, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Ferreira, L; C.N Carvalho; Lavareda, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
445
TÃTULO: A thin SiO layer as a remedy for the indium reduction at the In2O3/μc-Si:C:H interface Full Text
AUTORES: J.M.M de Nijs; Carvalho, C; Santos, M; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
AUTORES: J.M.M de Nijs; Carvalho, C; Santos, M; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
446
TÃTULO: A-Si:H ambipolar diffusion length and effective lifetime measured by flying spot (FST) and spectral photovoltage (SPT) techniques Full Text
AUTORES: Vieira, M; Martins, R; Fortunato, E; Soares, F; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
AUTORES: Vieira, M; Martins, R; Fortunato, E; Soares, F; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
447
TÃTULO: Engineering of plasma deposition systems used for producing large area a-Si:H devices Full Text
AUTORES: Martins, R; Ferreira, I; Carvalho, N; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
AUTORES: Martins, R; Ferreira, I; Carvalho, N; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
448
TÃTULO: On the structural, optical and electronic properties of microcrystalline Si:O:C:H thin films prepared in a two-consecutive-decomposition-deposition-chamber system
AUTORES: Willeke, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Philosophical Magazine Part B, VOLUME: 63, NÚMERO: 1
AUTORES: Willeke, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Philosophical Magazine Part B, VOLUME: 63, NÚMERO: 1
449
TÃTULO: ENHANCEMENT OF VOC BY N-TYPE AND P-TYPE MU-C-SI-C-H WIDE BAND-GAP MATERIAL PRODUCED IN A TCDDC SYSTEM
AUTORES: GUIMARAES, L; SANTOS, M; MACARICO, A; CARVALHO, N; MARTINS, R;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: 1989 CONGRESS OF THE INTERNATIONAL SOLAR ENERGY SOC : CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER in CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER, VOLS 1-3
AUTORES: GUIMARAES, L; SANTOS, M; MACARICO, A; CARVALHO, N; MARTINS, R;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: 1989 CONGRESS OF THE INTERNATIONAL SOLAR ENERGY SOC : CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER in CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER, VOLS 1-3
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: ResearcherID
ResearcherID450
TÃTULO: A NEW WEAKLY ABSORBING AND HIGHLY CONDUCTIVE (MU-C-SIX-CY-OZ-H) MATERIAL PRODUCED BY A TCDDC SYSTEM
AUTORES: WILLEKE, G; MARTINS, R; VIEIRA, M; FORTUNATO, E; FERREIRA, I; SANTOS, M; MACARICO, A; CARVALHO, N; GUIMARAES, L;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: 1989 CONGRESS OF THE INTERNATIONAL SOLAR ENERGY SOC : CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER in CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER, VOLS 1-3
AUTORES: WILLEKE, G; MARTINS, R; VIEIRA, M; FORTUNATO, E; FERREIRA, I; SANTOS, M; MACARICO, A; CARVALHO, N; GUIMARAES, L;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: 1989 CONGRESS OF THE INTERNATIONAL SOLAR ENERGY SOC : CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER in CLEAN AND SAFE ENERGY FOREVER, VOLS 1-3
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ResearcherID
ResearcherID