31
TÍTULO: Beyond single scattering off flat samples  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Fonseca, A; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 18th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 241, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
32
TÍTULO: High resolution backscattering studies of nanostructured magnetic and semiconducting materials  Full Text
AUTORES: Fonseca, A; Franco, N; Alves, E ; Barradas, NP ; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Banhart, DF; Presting, H; Ulyanov, VV; Nikiforov, AI;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 18th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 241, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13
33
TÍTULO: Rutherford backscattering and X-ray reflectivity analysis of tunnel barriers  Full Text
AUTORES: Franco, N; Yavorovskiy, IV; Fonseca, A; Gouveia, JAA; Marques, C; Alves, E ; Ferreira, RA; Freitas, PP ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 240, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
34
TÍTULO: Low-temperature molecular beam epitaxy of Ge on Si  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Fonseca, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Franco, N; Sequeira, AD; Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Pogosov, AO; Sibeldin, NN; Tsvetkov, VA; Lichtenberger, H; Schaffler, F;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 2nd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 8, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS
35
TÍTULO: Low-temperature molecular beam epitaxy of Ge on Si  Full Text
AUTORES: J.P Leitão; Fonseca, A; N.A Sobolev; M.C Carmo; Franco, N; A.D Sequeira; T.M Burbaev; V.A Kurbatov; M.M Rzaev; A.O Pogosov; N.N Sibeldin; V.A Tsvetkov; Lichtenberger, H; Schäffler, F;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 8, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
36
TÍTULO: An expeditious experiment to determine the Faraday constant  Full Text
AUTORES: Gomes, MTSR ; Oliveira, MMO; Fonseca, MA; Oliveira, JABP ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL EDUCATION, VOLUME: 81, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
37
TÍTULO: Pulsed laser annealing of Si-Ge superlattices  Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Ivlev, GD; Gatskevich, EI; Leitao, JP ; Fonseca, A; Carmo, MC; Lopes, AB ; Sharaev, DN; Kibbel, H; Presting, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS, VOLUME: 23, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
38
TÍTULO: Influence of defects on the luminescence of Ge/Si quantum dots  Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Fonseca, A; Leitao, JP ; Carmo, MC; Presting, H; Kibbel, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
39
TÍTULO: Ultramicrohardness cross-profiling of CVD diamond steel brazed junctions  Full Text
AUTORES: Fernandes, AJS; Fonseca, MJ; Costa, FM ; Silva, RF ; Nazare, MH;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 9th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Nitrides and Silicon Carbide (Diamond 1998) in DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 8, NÚMERO: 2-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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TÍTULO: Processing of porous cordierite bodies by starch consolidation  Full Text
AUTORES: Alves, HM; Tari, G; Fonseca, AT; Ferreira, JMF ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: MATERIALS RESEARCH BULLETIN, VOLUME: 33, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 80
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