Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
171
TÃTULO: AN INTEGRATED APPROACH FOR UTILIZATION OF OVERBURDEN FOR STOWING IN THICK SEAMS EXTRACTION AND BACK FILLING IN EXHAUSTED QUARRIES
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID172
TÃTULO: EXPERIENCE WITH SIMULTANEOUS 3 LIFT LONGWALL EXTRACTION OF 9 M. THICK LOW STRENGTH COAL SEAM AT 450 M. DEPTH AT JITPUR-COLLIERY
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID173
TÃTULO: CVD AND CHARACTERIZATION OF AL-CU METALLIZATION THIN-FILMS
AUTORES: HOULDING, VH; MAXWELL, H; CROCHIERE, SM; FARRINGTON, DL; RAI, RS; TARTAGLIA, JM;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: ADVANCED METALLIZATION AND PROCESSING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS - II, VOLUME: 260
AUTORES: HOULDING, VH; MAXWELL, H; CROCHIERE, SM; FARRINGTON, DL; RAI, RS; TARTAGLIA, JM;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: ADVANCED METALLIZATION AND PROCESSING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS - II, VOLUME: 260
174
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF VERTICAL-CAVITY SEMICONDUCTOR STRUCTURES
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PELLEGRINO, JG; HICKERNELL, RK; CROCHIERE, SM; PARSONS, CA; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 72, NÚMERO: 12
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PELLEGRINO, JG; HICKERNELL, RK; CROCHIERE, SM; PARSONS, CA; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 72, NÚMERO: 12
175
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF CDTE, (CD,ZN)TE, AND CD(TE,SE)SINGLE CRYSTALS BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, VOLUME: 9, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, VOLUME: 9, NÚMERO: 3
176
TÃTULO: INTERLAYER COUPLING IN PEROXITONIC MODEL OF SUPERCONDUCTIVITY
AUTORES: RAI, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 14, NÚMERO: 4
AUTORES: RAI, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 14, NÚMERO: 4
177
TÃTULO: DEFORMATION-BEHAVIOR OF CDTE AND (CD,ZN)TE SINGLE-CRYSTALS BETWEEN 200-DEGREES-C AND 600-DEGREES-C
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MICHEL, DJ; SMITH, HH; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MICHEL, DJ; SMITH, HH; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID178
TÃTULO: GROWTH AND CHARACTERIZATION OF CDTE AND CDTE ALLOYS
AUTORES: MCDEVITT, S; JOHN, DR; SEPICH, JL; BOWERS, KA; SCHETZINA, JF; RAI, RS; MAHAJAN, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: PROPERTIES OF II-VI SEMICONDUCTORS : BULK CRYSTALS, EPITAXIAL FILMS, QUANTUM WELL STRUCTURES, AND DILUTE MAGNETIC SYSTEMS, VOLUME: 161
AUTORES: MCDEVITT, S; JOHN, DR; SEPICH, JL; BOWERS, KA; SCHETZINA, JF; RAI, RS; MAHAJAN, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: PROPERTIES OF II-VI SEMICONDUCTORS : BULK CRYSTALS, EPITAXIAL FILMS, QUANTUM WELL STRUCTURES, AND DILUTE MAGNETIC SYSTEMS, VOLUME: 161
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID179
TÃTULO: FERROELECTRIC DOMAIN-STRUCTURE OF LANTHANUM-MODIFIED LEAD TITANATE CERAMICS
AUTORES: DEMCZYK, BG; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 73, NÚMERO: 3
AUTORES: DEMCZYK, BG; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 73, NÚMERO: 3
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TÃTULO: INFLUENCE OF SOLUTE DOPING ON THE HIGH-TEMPERATURE DEFORMATION-BEHAVIOR OF GAAS
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP; CLEMANS, JE; MCGUIGAN, S; THOMAS, RN; MITCHEL, W;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 65, NÚMERO: 6
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP; CLEMANS, JE; MCGUIGAN, S; THOMAS, RN; MITCHEL, W;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 65, NÚMERO: 6
