S. Decoster
AuthID: R-006-QMY
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TÃTULO: Diluted manganese on the bond-centered site in germanium Full Text
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Pereira, LMC; Lacasta, C; Da Silva, MR ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 15
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Pereira, LMC; Lacasta, C; Da Silva, MR ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 15
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TÃTULO: Lattice location study of ion implanted Sn and Sn-related defects in Ge
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 15
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 15
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TÃTULO: Lattice location of the group V elements Sb, As, and P in ZnO
AUTORES: Ulrich Wahl ; Joao Guilherme Correia ; Tania Mendonca; Stefan Decoster;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES, VOLUME: 7603
AUTORES: Ulrich Wahl ; Joao Guilherme Correia ; Tania Mendonca; Stefan Decoster;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES, VOLUME: 7603
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS14
TÃTULO: Effect of fluence on the lattice site of implanted Er and implantation induced strain in GaN Full Text
AUTORES: Wahl, U ; De Vries, B; Decoster, S; Vantomme, A; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 8-9
AUTORES: Wahl, U ; De Vries, B; Decoster, S; Vantomme, A; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 8-9
15
TÃTULO: Lattice location study of implanted In in Ge Full Text
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 8
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Transition Metal Impurities on the Bond-Centered Site in Germanium
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; De Vries, B; Emmerich, H; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 102, NÚMERO: 6
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; De Vries, B; Emmerich, H; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 102, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Experimental evidence of tetrahedral interstitial and bond-centered Er in Ge Full Text
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 93, NÚMERO: 14
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 93, NÚMERO: 14
