T. I. Benushis


AuthID: R-006-VG3

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TÍTULO: Complex model for plasma-enhanced heteroepitaxial deposition of A2B6 semiconductor compounds using MOC
AUTORES: Ershov, SN; Vasilevskiy, MI ; Benushis, TI; Gurllev, BV; Ozerov, AB;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Semiconductor Science and Technology, VOLUME: 7, NÚMERO: 2
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