1
TÍTULO: A comprehensive analysis of IMD behavior in RF CMOS power amplifiers
AUTORES: Fager, C; Pedro, JC ; de Carvalho, NB ; Zirath, H; Fortes, F ; Rosario, MJ ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOLUME: 39, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 90
2
TÍTULO: Prediction of IMD in LDMOS transistor amplifiers using a new large-signal model
AUTORES: Fager, C; Pedro, JC ; de Carvalho, NB ; Zirath, H;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: IEEE Annual Microwave Theory and Techniques Society International Microwave Symposium (IEEE MTT-S IMS 2002) in IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOLUME: 50, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 81
3
TÍTULO: Intermodulation distortion behavior in LDMOS transistor amplifiers  Full Text
AUTORES: Fager, C; de Carvalho, NB ; Pedro, JC ; Zirath, H;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: IEEE MTT-S International Microwave Symposium in 2002 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-3, VOLUME: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5