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TÍTULO: Non-stationary photoconductivity of GaN nanocomposites in artificial opal matrix
AUTORES: Niehus, M; Koynov, S; Schwarz, R ; Feoktistov, NA; Golubev, VG; Kurdyukov, DA; Pevtsov, AB;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
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TÍTULO: Non-stationary photoconductivity of GaN nanocomposites in artificial opal matrix
AUTORES: Niehus, M; Koynov, S; Schwarz, R; Feoktistov, NA; Golubev, VG; Kurdyukov, DA; Pevtsov, AB;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
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TÍTULO: Three-dimensional array of silicon nanoscale elements in artificial SiO2 opal host  Full Text
AUTORES: Bogomolov, VN; Feoktistov, NA; Golubev, VG; Hutchison, JL; Kurdyukov, DA; Pevtsov, AB; Schwarz, R ; Sloan, J; Sorokin, LM;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 18th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (ICAMS 18) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 266
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TÍTULO: Amorphous silicon-carbon thin film p-i-n structures for liquid-crystal spatial light modulators
AUTORES: Feoktistov, NA; Ivanova, NL; Morozova, LE; Yu A Nikulin; Onokhov, AP; Pevtsov, AB; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Proceedings of the 1996 MRS Spring Symposium in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 420
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TÍTULO: Electroluminescence in a-Si1-xCx: H p-i-n structures
AUTORES: Pevtsov, AB; Zherzdev, AV; Feoktistov, NA; Juskas, G; Muschik, T; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: International Journal of Electronics, VOLUME: 78, NÚMERO: 2
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