Dr. Gali Hema Chandra
AuthID: R-000-VYF
1
TÃTULO: Influence of Process Parameters on the RF Sputtered GaP Thin Films Full Text
AUTORES: Mota, DA; Hema Chandra, GH; Ventura, J ; Guedes, A ; Perez de la Cruz, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, VOLUME: 29, NÚMERO: 9
AUTORES: Mota, DA; Hema Chandra, GH; Ventura, J ; Guedes, A ; Perez de la Cruz, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, VOLUME: 29, NÚMERO: 9
2
TÃTULO: Microstructural and optoelectronic properties of polycrystalline InP films deposited by RF magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Hema H Chandra; Perez de la Cruz, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 354, NÚMERO: 1
AUTORES: Hema H Chandra; Perez de la Cruz, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 354, NÚMERO: 1
3
TÃTULO: Influence of substrate and selenization temperatures on the growth of Cu2SnSe3 films Full Text
AUTORES: Hema H Chandra; Lakshmana L Kumar; Prasada P Rao; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 46, NÚMERO: 21
AUTORES: Hema H Chandra; Lakshmana L Kumar; Prasada P Rao; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 46, NÚMERO: 21
4
TÃTULO: The influence of argon pressure and RF power on the growth of InP thin films Full Text
AUTORES: Hema H Chandra; Perez de la Cruz, JP ; Ventura, J ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 26, NÚMERO: 7
AUTORES: Hema H Chandra; Perez de la Cruz, JP ; Ventura, J ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 26, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Growth of highly (111) oriented Culn(0.75)Al(0.25)Se(2) thin films Full Text
AUTORES: Hema H Chandra; Udayakumar, C; Padhy, N; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 13, NÚMERO: 4
AUTORES: Hema H Chandra; Udayakumar, C; Padhy, N; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 13, NÚMERO: 4
