Dr. Elangovan Elamurugu
AuthID: R-000-4B5
1
TÃTULO: Effect of N and P codoping on ZnO properties
AUTORES: Wang, J; Elamurugu, E; Li, H; Jiao, S; Zhao, L; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 International Conference on Intelligent System, Applied Materials and Control Technology, GSAMCT 2013 in Advanced Materials Research, VOLUME: 645
AUTORES: Wang, J; Elamurugu, E; Li, H; Jiao, S; Zhao, L; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 International Conference on Intelligent System, Applied Materials and Control Technology, GSAMCT 2013 in Advanced Materials Research, VOLUME: 645
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TÃTULO: The electronic transport mechanism in indium molybdenum oxide thin films RF sputtered at room temperature
AUTORES: Elangovan Elamurugu; Parthiban Shanmugam; Goncalo Goncalves; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: EPL, VOLUME: 97, NÚMERO: 3
AUTORES: Elangovan Elamurugu; Parthiban Shanmugam; Goncalo Goncalves; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: EPL, VOLUME: 97, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Role of Room Temperature Sputtered High Conductive and High Transparent Indium Zinc Oxide Film Contacts on the Performance of Orange, Green, and Blue Organic Light Emitting Diodes Full Text
AUTORES: Goncalo Goncalves; Valentina Grasso; Pedro Barquinha ; Luis Pereira ; Elangovan Elamurugu; Mauro Brignone; Rodrigo Martins ; Vito Lambertini; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PLASMA PROCESSES AND POLYMERS, VOLUME: 8, NÚMERO: 4
AUTORES: Goncalo Goncalves; Valentina Grasso; Pedro Barquinha ; Luis Pereira ; Elangovan Elamurugu; Mauro Brignone; Rodrigo Martins ; Vito Lambertini; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PLASMA PROCESSES AND POLYMERS, VOLUME: 8, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Zinc concentration dependence study of solution processed amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors using high-k dielectric Full Text
AUTORES: Pradipta K Nayak; Tito Busani; Elangovan Elamurugu; Pedro Barquinha ; Rodrigo Martins ; Yongtaek Hong; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 18
AUTORES: Pradipta K Nayak; Tito Busani; Elangovan Elamurugu; Pedro Barquinha ; Rodrigo Martins ; Yongtaek Hong; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Thin-film transistors based on p-type Cu2O thin films produced at room temperature (vol 96, 192102, 2010) Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Thin-film transistors based on p-type Cu2O thin films produced at room temperature Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
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TÃTULO: Influence of Deposition Pressure on N-doped ZnO Films by RF Magnetron Sputtering
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Elangovan Elamurugu; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana M B Botelho do Rego ; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Elangovan Elamurugu; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana M B Botelho do Rego ; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Characterization of SnO2:F thin films deposited by an economic spray pyrolysis technique Full Text
AUTORES: Nafiseh Memarian; Seyed Mohammad Rozati; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS)/Symposium F on Advances in Transparent Electronics-From Materials to Devices in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 9, VOLUME: 7, NÚMERO: 9
AUTORES: Nafiseh Memarian; Seyed Mohammad Rozati; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS)/Symposium F on Advances in Transparent Electronics-From Materials to Devices in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 9, VOLUME: 7, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)] Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Intrinsic p Type ZnO Films Deposited by rf Magnetron Sputtering
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Rodrigo Martins ; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Peres, M; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 6th International Conference on Nanoscience and Technology in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 9, NÚMERO: 2
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Rodrigo Martins ; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Peres, M; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 6th International Conference on Nanoscience and Technology in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 9, NÚMERO: 2
