321
TÍTULO: OPTICAL AND STRUCTURAL ANALYSIS OF Ge/Si QUANTUM DOTS GROWN ON A Si(001) SURFACE COVERED WITH A SiO 2 SUB-MONOLAYER   Full Text
AUTORES: FONSECA, A; ALVES, E; LEITÃO, JP; SOBOLEV, NA; CARMO, MC; NIKIFOROV, A;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Int. J. Nanosci. - International Journal of Nanoscience, VOLUME: 06, NÚMERO: 03n04
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
323
TÍTULO: Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN  Full Text
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 243, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: CrossRef
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324
TÍTULO: Microstructural studies of PZT thick films on Cu foils  Full Text
AUTORES: WU, A; VILARINHO, P; SRINIVASAN, S; KINGON, A; REANEY, I; WOODWARD, D; RAMOS, A; ALVES, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 54, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: CrossRef: 17
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325
TÍTULO: Analysis of sol–gel silica–titania films doped with Ag and Er using artificial neural networks  Full Text
AUTORES: N.R Nené; Vieira, A; A.C Marques; R.M Almeida; A.R Ramos; Alves, E; N.P Barradas;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
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326
TÍTULO: Damage behaviour of GaAs/AlAs multilayer structures  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Fonseca, A; Franco, N; N.P Barradas; Sobolev, N; Hey, R; Grahn, H; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
327
TÍTULO: TEM investigation of Tm implanted GaN, the influence of high temperature annealing  Full Text
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
328
TÍTULO: Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation  Full Text
AUTORES: Hernández, S; Cuscó, R; Artús, L; Nogales, E; R.W Martin; K.P O’Donnell; Halambalakis, G; Briot, O; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
329
TÍTULO: Structural and optical properties of Er 3+ ion in sol–gel grown LiNbO 3   Full Text
AUTORES: Graça, MPF; Valente, MA; Peres, M; Cruz, A; Soares, MJ; Neves, AJ; Monteiro, T; Alves, LC; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Journal of Physics: Condensed Matter - J. Phys.: Condens. Matter, VOLUME: 19, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: CrossRef: 8
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330
TÍTULO: <title>Optical properties of Er<formula><sup><roman>3+</roman></sup></formula> + Yb<formula><sup><roman>3+</roman></sup></formula> doped gallium nitride layers</title>
AUTORES: Vaclav Prajzler; Eduardo Alves; Christoph Buchal; Ivan Huttel; Jarmila Spirkova; Jiri Oswald; Jiri Zavadil; Vratislav Perina; Vitezslav Jerabek;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Advances in Thin-Film Coatings for Optical Applications III
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