Eduardo Jorge da Costa Alves
AuthID: R-000-4EK
351
TÃTULO: The lattice site of Au in Be after 24 h 197mHg isotope implantation and decay Full Text
AUTORES: Alves, E; J.G Correia; J.G Marques; A.A Melo; M.F da Silva; J.C Soares; Haas, H;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 85, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E; J.G Correia; J.G Marques; A.A Melo; M.F da Silva; J.C Soares; Haas, H;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 85, NÚMERO: 1-4
352
TÃTULO: Hyperfine fields of mercury in single-crystalline cobalt Full Text
AUTORES: Marques, JG; Correia, JG; Melo, AA; Soares, JC; Alves, E; da Silva, MF;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 76, NÚMERO: 10
AUTORES: Marques, JG; Correia, JG; Melo, AA; Soares, JC; Alves, E; da Silva, MF;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 76, NÚMERO: 10
353
TÃTULO: DISORDER CREATION AND ANNEALING IN HG IMPLANTED CDTE Full Text
AUTORES: TRAVERSE, A; LEO, G; ALVES, JG; ALMEIDA, PM ; DASILVA, MF; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 8TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 80-1, NÚMERO: PART 2
AUTORES: TRAVERSE, A; LEO, G; ALVES, JG; ALMEIDA, PM ; DASILVA, MF; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 8TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 80-1, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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TÃTULO: Lattice location of Er in GaAs and Al0.5Ga0.5As layers grown by MBE on (100) GaAs substrates Full Text
AUTORES: Alves, E; M.F da Silva; K.R Evans; C.R Jones; A.A Melo; J.C Soares;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 80-81
AUTORES: Alves, E; M.F da Silva; K.R Evans; C.R Jones; A.A Melo; J.C Soares;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 80-81
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TÃTULO: Vacancy-acceptor complexes in germanium produced by ion implantation Full Text
AUTORES: Feuser, U; Vianden, R; Alves, E; M.F da Silva; Szilágyi, E; Pászti, F; J.C Soares;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
AUTORES: Feuser, U; Vianden, R; Alves, E; M.F da Silva; Szilágyi, E; Pászti, F; J.C Soares;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
356
TÃTULO: Lattice site location and outdiffusion of mercury implanted in GaAs Full Text
AUTORES: J.C Soares; A.A Melo; Alves, E; M.F da Silva; W.P Gillin; B.J Sealy;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
AUTORES: J.C Soares; A.A Melo; Alves, E; M.F da Silva; W.P Gillin; B.J Sealy;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
357
TÃTULO: Epitaxial regrowth and lattice location of indium implanted in arsenic-preamorphized silicon Full Text
AUTORES: Alves, E; M.F Da Silva; J.C Soares; A.A Melo; May, J; Haslar, V; Seidl, P; Feuser, U; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 55, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E; M.F Da Silva; J.C Soares; A.A Melo; May, J; Haslar, V; Seidl, P; Feuser, U; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 55, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: Regrowth of indium-implanted (100), (110) and (111) silicon crystals studied with Rutherford backscattering and perturbed angular correlation techniques Full Text
AUTORES: Alves, E; M.F Da Silva; A.A Melo; J.C Soares; Feuser, U; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Materials Science and Engineering: B, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E; M.F Da Silva; A.A Melo; J.C Soares; Feuser, U; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Materials Science and Engineering: B, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-4