Eduardo Jorge da Costa Alves
AuthID: R-000-4EK
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TÃTULO: Microwave transient reflection in annealed SnS thin films Full Text
AUTORES: Ben Mbarek, M; Reghima, M; Yacoubi, N; Barradas, N; Alves, E; Bundaleski, N; Teodoro, O ; Kunst, M; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) / Symposium E on Earth-Abundant Next Generation Materials for Solar Energy - III in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 121
AUTORES: Ben Mbarek, M; Reghima, M; Yacoubi, N; Barradas, N; Alves, E; Bundaleski, N; Teodoro, O ; Kunst, M; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) / Symposium E on Earth-Abundant Next Generation Materials for Solar Energy - III in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 121
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TÃTULO: Electrical, optical and photoconductive properties of Sn-doped indium sulfofluoride thin films Full Text
AUTORES: Vygranenko, Y; Fernandes, M; Vieira, M; Lavareda, G; de Carvalho, CN; Brogueira, P; Amaral, A; Barradas, NP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 121
AUTORES: Vygranenko, Y; Fernandes, M; Vieira, M; Lavareda, G; de Carvalho, CN; Brogueira, P; Amaral, A; Barradas, NP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 121
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TÃTULO: Dependence of optical properties on composition of silicon carbonitride thin films deposited at low temperature by PECVD Full Text
AUTORES: Lavareda, G; Vygranenko, Y; Amaral, A; de Carvalho, CN; Barradas, NP; Alves, E; Brogueira, P;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 551
AUTORES: Lavareda, G; Vygranenko, Y; Amaral, A; de Carvalho, CN; Barradas, NP; Alves, E; Brogueira, P;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 551
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TÃTULO: Eu3+ optical activation engineering in AlxGa1-xN nanowires for red solid-state nano-emitters
AUTORES: Cardoso, J; Jacopin, G; Faye, DN; Siladie, AM; Daudin, B; Alves, E; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MR; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED MATERIALS TODAY, VOLUME: 22
AUTORES: Cardoso, J; Jacopin, G; Faye, DN; Siladie, AM; Daudin, B; Alves, E; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MR; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED MATERIALS TODAY, VOLUME: 22
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TÃTULO: Unravelling the secrets of the resistance of GaN to strongly ionising radiation
AUTORES: Sequeira, MC; Mattei, JG; Vazquez, H; Djurabekova, F; Nordlund, K; Monnet, I; Mota Santiago, P; Kluth, P; Grygiel, C; Zhang, S; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: COMMUNICATIONS PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 1
AUTORES: Sequeira, MC; Mattei, JG; Vazquez, H; Djurabekova, F; Nordlund, K; Monnet, I; Mota Santiago, P; Kluth, P; Grygiel, C; Zhang, S; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: COMMUNICATIONS PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Crystal mosaicity determined by a novel layer deconvolution Williamson-Hall method Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Mateus, R; Faye, DN; Pereira, DR; Peres, M; Lorenz, K; Díaz Guerra, C; Araújo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CrystEngComm, VOLUME: 23, NÚMERO: 10
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Mateus, R; Faye, DN; Pereira, DR; Peres, M; Lorenz, K; Díaz Guerra, C; Araújo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CrystEngComm, VOLUME: 23, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Simulating the effect of Ar+ energy implantation on the strain propagation in AlGaN Full Text
AUTORES: Cabaco, JS; Faye, DND; Araujo, JP ; Alves, E; Magalhaes, S;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 54, NÚMERO: 24
AUTORES: Cabaco, JS; Faye, DND; Araujo, JP ; Alves, E; Magalhaes, S;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 54, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Multiple reflection optimization package for X-ray diffraction Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Cabaco, JS; Araujo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTENGCOMM
AUTORES: Magalhaes, S; Cabaco, JS; Araujo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTENGCOMM
INDEXADO EM: WOS
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TÃTULO: Self-powered proton detectors based on GaN core-shell p-n microwires Full Text
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Fernandes, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 118, NÚMERO: 19
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Fernandes, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 118, NÚMERO: 19