321
TÍTULO: Improving positive and negative bias illumination stress stability in parylene passivated IGZO transistors  Full Text
AUTORES: Asal Kiazadeh; Henrique L Gomes; Pedro Barquinha; Jorge Martins; Ana Rovisco; Joana V Pinto; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
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322
TÍTULO: Influence of the Substrate on the Morphology of Self-Assembled Silver Nanoparticles by Rapid Thermal Annealing
AUTORES: Araújo, A; Mendes, MJ; Mateus, T; Vicente, A; Nunes, D; Calmeiro, T; Fortunato, E; Águas, H; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
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323
TÍTULO: Novel Linear Analog-Adder Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
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324
TÍTULO: Basic Analog and Digital Circuits with a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
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326
TÍTULO: Validating silicon polytrodes with paired juxtacellular recordings: method and dataset
AUTORES: Joana P Neto; Gonalo Lopes; Joao Frazao; Joana Nogueira; Pedro Lacerda; Pedro Baiao; Arno Aarts; Alexandru Andrei; Silke Musa; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha; Adam R Kampff;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF NEUROPHYSIOLOGY, VOLUME: 116, NÚMERO: 2
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327
TÍTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress  Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
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328
TÍTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
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329
TÍTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
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330
TÍTULO: Inkjet printed highly porous TiO2 films for improved electrical properties of photoanode  Full Text
AUTORES: Bernacka-Wojcik, I; P.J Wojcik; Aguas, H; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Colloid and Interface Science, VOLUME: 465
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