Elvira Maria Correia Fortunato
AuthID: R-000-4M5
451
TÃTULO: <title>Away from silicon era: the paper electronics</title>
AUTORES: Martins, R; Brás, B; Ferreira, I; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Costa, R; Busani, T; Gonçalves, A; Pimentel, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
AUTORES: Martins, R; Brás, B; Ferreira, I; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Costa, R; Busani, T; Gonçalves, A; Pimentel, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
452
TÃTULO: New developments on oxide electronics
AUTORES: Elvira Fortunato; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 18th International Display Workshops (IDW '11) in IDW'11: PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, VOLS 1-3
AUTORES: Elvira Fortunato; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 18th International Display Workshops (IDW '11) in IDW'11: PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, VOLS 1-3
INDEXADO EM: 
WOS
WOS453
TÃTULO: Self-Rechargeable Paper Thin-Film Batteries: Performance and Applications Full Text
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID454
TÃTULO: P-202L: Late-news poster: Long-term stability of oxide semiconductor-based TFTs
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus NO MEU: ORCID
ORCID455
TÃTULO: Inkjet printed and “doctor blade” TiO2 photodetectors for DNA biosensors Full Text
AUTORES: Iwona Bernacka-Wojcik; Rohan Senadeera; Pawel Jerzy Wojcik; Leonardo Bione Silva; Gonçalo Doria; Pedro Baptista; Hugo Aguas; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Biosensors and Bioelectronics, VOLUME: 25, NÚMERO: 5
AUTORES: Iwona Bernacka-Wojcik; Rohan Senadeera; Pawel Jerzy Wojcik; Leonardo Bione Silva; Gonçalo Doria; Pedro Baptista; Hugo Aguas; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Biosensors and Bioelectronics, VOLUME: 25, NÚMERO: 5
456
TÃTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
457
TÃTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)] Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
458
TÃTULO: <title>Floating gate memory paper transistor</title>
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
459
TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
460
TÃTULO: Role of Trimethylboron to Silane Ratio on the Properties of <I>p</I>-Type Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
