Robert Francis Jones
AuthID: R-001-FHB
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TÃTULO: Isotopic effects on vibrational modes of thermal double donors in Si and Ge Full Text
AUTORES: Murin, LI; Lindstrom, JL; Markevich, VP; Hallberg, T; Litvinov, VV; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
AUTORES: Murin, LI; Lindstrom, JL; Markevich, VP; Hallberg, T; Litvinov, VV; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
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TÃTULO: Over-coordinated oxygen in the interstitial carbon-oxygen complex Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
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TÃTULO: Thermal double donors in Si and Ge Full Text
AUTORES: Jones, R; Coutinho, J ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
AUTORES: Jones, R; Coutinho, J ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
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TÃTULO: Oxygen and dioxygen centers in Si and Ge: Density-functional calculations
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 16
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Local vibrational mode bands of V-O-H complexes in silicon Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Murin, LI; Suezawa, M; Lindstrom, JL; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1999 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 273-274
AUTORES: Markevich, VP; Murin, LI; Suezawa, M; Lindstrom, JL; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1999 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 273-274
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TÃTULO: Nitrogen-hydrogen defects in GaP Full Text
AUTORES: Dixon, P; Richardson, D; Jones, R; Latham, CD; Oberg, S; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 8th International Conference on Shallow-Level Centres in Semiconductors (SLCS-(*) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 210, NÚMERO: 2
AUTORES: Dixon, P; Richardson, D; Jones, R; Latham, CD; Oberg, S; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 8th International Conference on Shallow-Level Centres in Semiconductors (SLCS-(*) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 210, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Dynamic properties of interstitial carbon and carbon-carbon pair defects in silicon
AUTORES: Leary, P; Jones, R; Oberg, S; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 55, NÚMERO: 4
AUTORES: Leary, P; Jones, R; Oberg, S; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 55, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Theory of nitrogen-hydrogen complexes in GaP
AUTORES: Torres, VJB ; Oberg, S; Jones, R;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
AUTORES: Torres, VJB ; Oberg, S; Jones, R;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
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TÃTULO: Theory of nitrogen aggregates in diamond: The H3 and H4 defects
AUTORES: Jones, R; Torres, VJB; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) in Materials Science Forum, VOLUME: 143-4, NÚMERO: pt 1
AUTORES: Jones, R; Torres, VJB; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) in Materials Science Forum, VOLUME: 143-4, NÚMERO: pt 1
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