Y. V. Dubrovskii
AuthID: R-00F-WA9
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TÃTULO: Probing the electronic properties of disordered two-dimensional systems by means of resonant tunnelling Full Text
AUTORES: Dubrovskii, YV; Vdovin, EE; Patane, A; Brounkov, PN; Larkin, IA; Eaves, L; Main, PC; Maude, DK; Portal, JC; Ivanov, DY; Khanin, YN; Sirotkin, VV; Levin, A; Henini, M; Hill, G;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 9th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology in NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 4
AUTORES: Dubrovskii, YV; Vdovin, EE; Patane, A; Brounkov, PN; Larkin, IA; Eaves, L; Main, PC; Maude, DK; Portal, JC; Ivanov, DY; Khanin, YN; Sirotkin, VV; Levin, A; Henini, M; Hill, G;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 9th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology in NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 4
2
TÃTULO: Resonant tunneling through a pseudo-quantum well in single-barrier heterostructure Full Text
AUTORES: Dubrovskii, YV; Khanin, YN; Vdovin, EE; Larkin, IA; Andersson, TG;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 11th International Conference on the Electronic Properties of 2-Dimensional Systems (EP2DS XI) in SURFACE SCIENCE, VOLUME: 361, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Dubrovskii, YV; Khanin, YN; Vdovin, EE; Larkin, IA; Andersson, TG;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 11th International Conference on the Electronic Properties of 2-Dimensional Systems (EP2DS XI) in SURFACE SCIENCE, VOLUME: 361, NÚMERO: 1-3
3
TÃTULO: REFLECTION OF ELECTRONS FROM AN N-/N+ JUNCTION IN GAAS
AUTORES: VDOVIN, EE; DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JETP LETTERS, VOLUME: 61, NÚMERO: 7
AUTORES: VDOVIN, EE; DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JETP LETTERS, VOLUME: 61, NÚMERO: 7
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WOS
WOS4
TÃTULO: ELECTRON-TUNNELING THROUGH SINGLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
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TÃTULO: SEQUENTIAL EMISSION OF OPTICAL PHONONS BY BALLISTIC ELECTRONS IN SINGLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 28, NÚMERO: 11
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 28, NÚMERO: 11
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WOS6
TÃTULO: Electron tunneling through single-barrier heterostructures in a magnetic field
AUTORES: Yu V Dubrovskii; Yu N Khanin; Larkin, IA; Morozov, SV; Andersson, TG; Söderström, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Phys. Rev. B - Physical Review B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
AUTORES: Yu V Dubrovskii; Yu N Khanin; Larkin, IA; Morozov, SV; Andersson, TG; Söderström, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Phys. Rev. B - Physical Review B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
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TÃTULO: ENERGY QUASIBALLISTICS IN MICROSTRUCTURES WITH A 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 26, NÚMERO: 3
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 26, NÚMERO: 3
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WOS8
TÃTULO: LOW-TEMPERATURE ENERGY QUASIBALLISTICS IN GAAS MICROSTRUCTURES
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; BORISOV, AV; BUNIN, GG; INOZEMTSEV, SA; LAPIN, VG; MALAKHOV, BA;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 24, NÚMERO: 5
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; BORISOV, AV; BUNIN, GG; INOZEMTSEV, SA; LAPIN, VG; MALAKHOV, BA;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 24, NÚMERO: 5
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WOS9
TÃTULO: ENERGY QUASIBALLISTIC IN GAAS-MESFETS Full Text
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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