Juan R. Morante
AuthID: R-00G-4HA
1
TÃTULO: Controlled Photocatalytic Oxidation of Methane to Methanol through Surface Modification of Beta Zeolites
AUTORES: Sebastian Murcia Lopez; Maria C Bacariza; Katherine Villa; Jose M Lopes; Carlos Henriques; Joan R Morante; Teresa Andreu;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS CATALYSIS, VOLUME: 7, NÚMERO: 4
AUTORES: Sebastian Murcia Lopez; Maria C Bacariza; Katherine Villa; Jose M Lopes; Carlos Henriques; Joan R Morante; Teresa Andreu;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS CATALYSIS, VOLUME: 7, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
2
TÃTULO: Controlled Photocatalytic Oxidation of Methane to Methanol through Surface Modification of Beta Zeolites
AUTORES: Murcia López, S; Bacariza, MC; Villa, K; Lopes, JM; Henriques, C; Morante, JR; Andreu, T;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS Catalysis, VOLUME: 7, NÚMERO: 4
AUTORES: Murcia López, S; Bacariza, MC; Villa, K; Lopes, JM; Henriques, C; Morante, JR; Andreu, T;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS Catalysis, VOLUME: 7, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus
3
TÃTULO: Insight on the SU-8 resist as passivation layer for transparent Ga2O3-In2O3-ZnO thin-film transistors Full Text
AUTORES: Antonis Olziersky; Pedro Barquinha ; Anna Vila; Luis Pereira ; Goncalo Goncalves; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins ; Juan R Morante;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 6
AUTORES: Antonis Olziersky; Pedro Barquinha ; Anna Vila; Luis Pereira ; Goncalo Goncalves; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins ; Juan R Morante;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 6
4
TÃTULO: Gallium-indium-zinc-oxide-based thin-film transistors: Influence of the source/drain material
AUTORES: Pedro Barquinha ; Anna M Vila; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Joan R Morante; Elvira Fortunato ; Luis Pereira ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 55, NÚMERO: 4
AUTORES: Pedro Barquinha ; Anna M Vila; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Joan R Morante; Elvira Fortunato ; Luis Pereira ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 55, NÚMERO: 4