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TÍTULO: A 2-mu m InGaP/GaAs Class-J Power Amplifier for Multi-Band LTE Achieving 35.8-dB Gain, 40.5% to 55.8% PAE and 28-dBm Linear Output Power
AUTORES: Jagadheswaran, UR; Harikrishnan Ramiah; Pui In Mak; Rui P Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOLUME: 64, NÚMERO: 1
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