Rui Paulo Silva Martins
AuthID: R-002-8AK
171
TÃTULO: A 0.127-mm2, 5.6-mW, 5th-order SC LPF with +23.5-dBm IIP3 and 1.5-to-15-MHz clock-defined bandwidth in 65-nm CMOS
AUTORES: Zhao, Y; Mak, PI; Law, MK; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 9th IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013 in Proceedings of the 2013 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013
AUTORES: Zhao, Y; Mak, PI; Law, MK; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 9th IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013 in Proceedings of the 2013 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013
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TÃTULO: A 13-bit 60MS/s split pipelined ADC with background gain and mismatch error calibration
AUTORES: Ding, L; Wu, W; Sin, SW; Seng Pan, U; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 9th IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013 in Proceedings of the 2013 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013
AUTORES: Ding, L; Wu, W; Sin, SW; Seng Pan, U; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 2013 9th IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013 in Proceedings of the 2013 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2013
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TÃTULO: A 1.7mW 0.22mm(2) 2.4GHz ZigBee RX Exploiting a Current-Reuse Blixer plus Hybrid Filter Topology in 65nm CMOS
AUTORES: Zhicheng C Lin; Pui In Mak; Rui Martins;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: IEEE International Solid-State Circuits Flagship Conference of the IEEE Solid-State-Circuits-Society (ISSCC) in 2013 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE DIGEST OF TECHNICAL PAPERS (ISSCC), VOLUME: 56
AUTORES: Zhicheng C Lin; Pui In Mak; Rui Martins;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: IEEE International Solid-State Circuits Flagship Conference of the IEEE Solid-State-Circuits-Society (ISSCC) in 2013 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE DIGEST OF TECHNICAL PAPERS (ISSCC), VOLUME: 56
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TÃTULO: Low-complexity, full-resolution, mirror-switching digital predistortion scheme for polar-modulated power amplifiers Full Text
AUTORES: H Yu; F Cheng; Li, Y; F Cheang; I Mak; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 48, NÚMERO: 24
AUTORES: H Yu; F Cheng; Li, Y; F Cheang; I Mak; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 48, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Enhanced RFICs in Nanoscale CMOS Full Text
AUTORES: Pui In Mak; Rui P Martins;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: IEEE MICROWAVE MAGAZINE, VOLUME: 13, NÚMERO: 6
AUTORES: Pui In Mak; Rui P Martins;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: IEEE MICROWAVE MAGAZINE, VOLUME: 13, NÚMERO: 6
176
TÃTULO: Ultra-area-efficient three-stage amplifier using current buffer Miller compensation and parallel compensation Full Text
AUTORES: Yan, Z; I Mak; K Law; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 48, NÚMERO: 11
AUTORES: Yan, Z; I Mak; K Law; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 48, NÚMERO: 11
177
TÃTULO: Double recycling technique for folded-cascode OTA Full Text
AUTORES: Zushu S Yan; Pui In Mak; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 71, NÚMERO: 1
AUTORES: Zushu S Yan; Pui In Mak; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 71, NÚMERO: 1
178
TÃTULO: An 8-b 400-ms/s 2-b-per-cycle sar adc with resistive dac
AUTORES: Wei, H; Chan, CH; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Martins, RP; Maloberti, F;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: IEEE Journal of Solid-State Circuits, VOLUME: 47, NÚMERO: 11
AUTORES: Wei, H; Chan, CH; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Martins, RP; Maloberti, F;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: IEEE Journal of Solid-State Circuits, VOLUME: 47, NÚMERO: 11
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TÃTULO: A 12-bit 110MS/s 4-stage single-opamp pipelined SAR ADC with ratio-based GEC technique
AUTORES: Wang, R; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Wang, Z; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 38th European Solid State Circuits Conference, ESSCIRC 2012 in European Solid-State Circuits Conference
AUTORES: Wang, R; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Wang, Z; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 38th European Solid State Circuits Conference, ESSCIRC 2012 in European Solid-State Circuits Conference
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TÃTULO: A 0.024 mm2 4.9 fJ 10-bit 2 MS/s SAR ADC in 65 nm CMOS
AUTORES: Yin, G; Wei, HG; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Wang, Z; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 38th European Solid State Circuits Conference, ESSCIRC 2012 in European Solid-State Circuits Conference
AUTORES: Yin, G; Wei, HG; Chio, UF; Sin, SW; Seng Pan, U; Wang, Z; Martins, RP;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 38th European Solid State Circuits Conference, ESSCIRC 2012 in European Solid-State Circuits Conference
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