Toggle navigation
Publicações
Investigadores
Instituições
0
Entrar
Autenticação Federada
(Clique na imagem)
Autenticação local
Recuperar Palavra-passe
Registar
Entrar
Publicações
Pesquisar
Estatísticas
Optical Doping of Nitrides by Ion Implantation
AuthID
P-000-SDW
6
Author(s)
Alves, E
·
Lorenz, K
·
Vianden, R
·
Boemare, C
·
Soares, MJ
·
Monteiro, T
Tipo de Documento
Article
Year published
2001
Publicado
in
MODERN PHYSICS LETTERS B,
ISSN: 0217-9849
Volume: 15, Número: 28-29, Páginas: 1281-1287 (7)
Conference
Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams,
Date:
JUL 10-12, 2001,
Location:
WELLINGTON, NEW ZEALAND,
Host:
NATL MUSEUM NEW ZEALAND
Indexing
Wos
®
Scopus
®
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1142/s0217984901003172
SCOPUS
: 2-s2.0-0035924044
Wos
: WOS:000173764500003
Source Identifiers
ISSN
: 0217-9849
Export Publication Metadata
Exportar
×
Publication Export Settings
BibTex
EndNote
APA
Export Preview
Lista
Marked
Adicionar à lista
Marked
Info
At this moment we don't have any links to full text documens.
×
Selecione a Fonte
Esta publicação tem:
2 registos no
ISI
2 registos no
SCOPUS
2 registos no
DBLP
2 registos no
Unpaywall
2 registos no
Openlibrary
2 registos no
Handle
Por favor selecione o registo que deve ser utilizado pelo Authenticus.
×
Comparar Publicações
© 2024 CRACS & Inesc TEC - All Rights Reserved
Política de Privacidade
|
Terms of Service