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Lifetime Degradation of N-Type Czochralski Silicon After Hydrogenation
AuthID
P-00N-S1S
9
Author(s)
Vaqueiro Contreras, M
·
Markevich, VP
·
Mullins, J
·
Halsall, MP
·
Murin, LI
·
Falster, R
·
Binns, J
·
Coutinho, J
·
Peaker, AR
Tipo de Documento
Article
Year published
2018
Publicado
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
ISSN: 0021-8979
Volume: 123, Número: 16
Conference
29Th International Conference on Defects in Semiconductors (Icds),
Date:
JUL 31-AUG 04, 2017,
Location:
Matsue, JAPAN
Indexing
Wos
®
Scopus
®
Crossref
®
4
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1063/1.5011351
SCOPUS
: 2-s2.0-85043994004
Wos
: WOS:000431147200018
Source Identifiers
ISSN
: 0021-8979
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