51
TÍTULO: The visible and near IR photoluminescent response of nc-Si : Er thin films produced by rf sputtering  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Monteiro, T ; Stepikhova, MV; Losurdo, M; Soares, MJ ; Gomes, I;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 15, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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52
TÍTULO: Influence of crystals distribution on the photoluminescence properties of nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Stepikhova, M; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD) in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 34, NÚMERO: 5-8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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53
TÍTULO: Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation  Full Text
AUTORES: Rita, E; Alves, E ; Wahl, U ; Correia, JG ; Neves, AJ ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
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54
TÍTULO: Optical properties and transport in PLD-GaN
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Vieira, M ; Koynov, S; Schwarz, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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55
TÍTULO: Photoluminescence and damage recovery studies in Fe-implanted ZnO single crystals  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Rita, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 93, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 51
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56
TÍTULO: Photoluminescence decay in the ps time regime and structural properties of pulsed-laser deposited GaN  Full Text
AUTORES: Sanguino, P; Niehus, M; Melo, L ; Schwarz, R ; Fedorov, A ; Martinho, JMG ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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57
TÍTULO: Low temperature photoluminescence, transient photoconductivity and microwave reflection for optical properties and transport in PLD-GaN  Full Text
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Schwarz, R ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Kunst, M; Koynov, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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58
TÍTULO: Luminescence and structural studies of iron implanted alpha-Al2O3  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Alves, E ; Marques, C; McHargue, C; Ononye, LC; Allard, LF;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 11th International Conference on Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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59
TÍTULO: Luminescence studies of Co implanted sapphires  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Soares, MJ ; Santos, L; Boemare, C; Cascalheira, J; Alves, LC ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Radiation Effects and Defects in Solids, VOLUME: 157, NÚMERO: 6-12
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60
TÍTULO: Luminescence studies of Co implanted sapphires
AUTORES: Monteiro, T ; Soares, MJ ; Santos, L; Boemare, C; Cascalheira, J; Alves, LC ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, VOLUME: 157, NÚMERO: 6-12
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