Maria do Rosário Pimenta Correia


AuthID: R-000-B8B

Publicações Confirmadas: 60



51
TÍTULO: Compositional pulling effects in InxGa1-x/GaN layers: A combined depth-resolved cathodoluminescence and Rutherford backscattering/channeling study
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 64, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 128
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52
TÍTULO: Depth resolved studies of indium content and strain in InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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53
TÍTULO: Green, red and infrared Er-related emission in implanted GaN : Er and GaN : Er,O samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Soares, J; Correia, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 89, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 28
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54
TÍTULO: Indium content determination related with structural and optical properties of InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Soares, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th European Workshop on Gallium Nitride in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 230, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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55
TÍTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 46
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56
TÍTULO: Raman spectroscopy studies in InGaN/GaN wurtzite epitaxial films
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Monteiro, T; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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57
TÍTULO: Strain and compositional analysis of InGaN/GaN layers
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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58
TÍTULO: Steady-state and time-resolved luminescence in InGaN layers  Full Text
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Correia, M ; Monteiro, T ; Pereira, E; Heuken, M; Schoen, O;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 87-9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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59
TÍTULO: Distribution of 1.68 eV emission from diamond films  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Monteiro, I; Pereira, E; Costa, LC ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 84, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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60
TÍTULO: Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphire  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Pereira, E; Correia, MR ; Xavier, C; Hofmann, DM; Meyer, BK; Fischer, S; Cremades, A; Piqueras, J;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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