Peter Stallinga


AuthID: R-000-F4C

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TÍTULO: Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction-Thermal admittance spectroscopy studies  Full Text
AUTORES: Tomasz A Krajewski; Peter Stallinga ; Eunika Zielony; Krzysztof Goscinski; Piotr Kruszewski; Lukasz Wachnicki; Timo Aschenbrenner; Detlef Hommel; Elzbieta Guziewicz; Marek Godlewski;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 113, NÚMERO: 19
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2
TÍTULO: Climate change in the XXIst century: Mechanisms and predictions
AUTORES: Khmelinskii, Igor ; Stallinga, P ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 6th IASME / WSEAS International Conference on Energy and Environment, EE'11 in Recent Researches in Energy and Environment - 6th IASME / WSEAS International Conference on Energy and Environment, EE'11
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3
TÍTULO: Electronic Transport in Organic Materials: Comparison of Band Theory with Percolation/(Variable Range) Hopping Theory  Full Text
AUTORES: Stallinga, P ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: ADVANCED MATERIALS, VOLUME: 23, NÚMERO: 30
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4
TÍTULO: Piezoelectric biosensors assisted with electroacoustic impedance spectroscopy: a tool for accurate quantitative molecular recognition analysis  Full Text
AUTORES: Joao M Encarnacao; Raul Baltazar; Peter Stallinga ; Guilherme N M Ferreira ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 17th Biennial Meeting of the International-Society-for-Molecular-Recognition in JOURNAL OF MOLECULAR RECOGNITION, VOLUME: 22, NÚMERO: 2
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5
TÍTULO: Resistive switching in nanostructured thin films  Full Text
AUTORES: Silva, H ; Gomes, HL ; Yu. G Pogorelov; Stallinga, P ; de Leeuw, DM; Araujo, JP ; Sousa, JB ; Meskers, SCJ; Gleb Kakazei ; Cardoso, S ; Freitas, PP ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 94, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 24
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6
TÍTULO: Determining carrier mobility with a metal-insulator-semiconductor structure  Full Text
AUTORES: Stallinga, P ; Benvenho, ARV; Smits, ECP; Mathijssen, SGJ; Colle, M; Gomes, HL ; de Leeuw, DM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: ORGANIC ELECTRONICS, VOLUME: 9, NÚMERO: 5
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7
TÍTULO: Metal-insulator-metal transistors  Full Text
AUTORES: Peter Stallinga ; Roy, VAL; Zong Xiang Xu; Hai Feng Xiang; Chi Ming Che;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: ADVANCED MATERIALS, VOLUME: 20, NÚMERO: 11
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8
TÍTULO: Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors III. Normally-on devices  Full Text
AUTORES: Stallinga, P ; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SYNTHETIC METALS, VOLUME: 158, NÚMERO: 11
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9
TÍTULO: Photocapacitance measurements in irradiated a-Si : H based detectors  Full Text
AUTORES: Schwarz, R ; Mardolcar, U; Vygranenko, Y ; Vieira, M ; Casteleiro, C; Stallinga, P ; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
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10
TÍTULO: Space-separated quantum cutting with silicon nanocrystals for photovoltaic applications  Full Text
AUTORES: Timmerman, D; Izeddin, I; Stallinga, P ; Yassievich, IN; Gregorkiewicz, T;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: NATURE PHOTONICS, VOLUME: 2, NÚMERO: 2
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