Rodrigo Ferrao Paiva Martins


AuthID: R-000-FKV

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211
TÍTULO: Amorphous silicon-based PINIP structure for color sensor  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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212
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films and their use in colour sensor  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Liao, X; Hu, Z; Ferreira, I ; Aguas, H ; Ramos, AR ; Alves, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: International Conference on Physics, Chemistry and Engineering of Solar Cells in SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, VOLUME: 87, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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213
TÍTULO: Effect of the load resistance in the linearity and sensitivity of MIS position sensitive detectors
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Raniero, L; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology held at the 2005 MRS Spring Meeting in Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology-2005, VOLUME: 862
INDEXADO EM: Scopus WOS
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214
TÍTULO: Flexible a-Si : H position-sensitive detectors
AUTORES: Fortunato, E ; Pereira, L ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOLUME: 93, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS
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215
TÍTULO: Fully transparent ZnO thin-film transistor produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, EMC ; Barquinha, PMC ; Pimentel, ACMBG ; Goncalves, AMF; Marques, AJS; Pereira, LMN ; Martins, RFP ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: ADVANCED MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 770
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216
TÍTULO: Influence of hydrogen plasma on electrical and optical properties of transparent conductive oxides
AUTORES: Raniero, L; Goncalves, A; Pimentel, A ; Ferreira, I ; Zhang, S; Pereira, L ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology held at the 2005 MRS Spring Meeting in Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology-2005, VOLUME: 862
INDEXADO EM: Scopus WOS
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217
TÍTULO: Influence of metal induced crystallization parameters on the performance of polycrystalline silicon thin film transistors  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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218
TÍTULO: Influence of the layer thickness and hydrogen dilution on electrical properties of large area amorphous silicon p-i-n solar cell  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Zhang, S; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: International Conference on Physics, Chemistry and Engineering of Solar Cells in SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, VOLUME: 87, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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219
TÍTULO: Influence of the oxygen/argon ratio on the properties of sputtered hafnium oxide  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Functional Oxides for Advanced Semiconductor Technologies in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 118, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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220
TÍTULO: Linearity and sensitivity of MIS position sensitive detectors  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Costa, D; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: International Conference on Physics, Chemistry and Engineering of Solar Cells in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 40, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS
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