101
TÍTULO: The role of microstructure in luminescent properties of Er-doped nanocrystalline Si thin films
AUTORES: Stepikhova, MV; Cerqueira, MF ; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Conference Dedicated to Oleg Vladimirovich Losev (1903-1942) - Pioneer of Semiconductor Electronics in PHYSICS OF THE SOLID STATE, VOLUME: 46, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
NO MEU: ORCID
102
TÍTULO: The visible and near IR photoluminescent response of nc-Si : Er thin films produced by rf sputtering  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Monteiro, T ; Stepikhova, MV; Losurdo, M; Soares, MJ ; Gomes, I;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 15, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
103
TÍTULO: Characterisation of GaN films grown on sapphire by low-temperature cyclic pulsed laser deposition/nitrogen rf plasma  Full Text
AUTORES: Sanguino, P; Niehus, M; Melo, LV ; Schwarz, R ; Koynov, S; Monteiro, T ; Soares, J ; Alves, H; Meyer, BK;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
104
TÍTULO: Implantation and annealing studies of Tm-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Monteiro, T ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
105
TÍTULO: Influence of crystals distribution on the photoluminescence properties of nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Stepikhova, M; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD) in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 34, NÚMERO: 5-8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
106
TÍTULO: Lattice location and optical activation of rare earth implanted GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Alves, E ; Lorenz, K ; Correia, JG ; Monteiro, T ; De Vries, B; Vantomme, A; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 36
107
TÍTULO: Lattice site location and optical activity of Er implanted ZnO  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Rita, E; Wahl, U ; Correia, JG ; Monteiro, T ; Soares, J ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 53
108
TÍTULO: Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation  Full Text
AUTORES: Rita, E; Alves, E ; Wahl, U ; Correia, JG ; Neves, AJ ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
109
TÍTULO: Optical properties and transport in PLD-GaN
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Vieira, M ; Koynov, S; Schwarz, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
NO MEU: ORCID
110
TÍTULO: Photoluminescence and damage recovery studies in Fe-implanted ZnO single crystals  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Rita, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 93, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 51
Página 11 de 16. Total de resultados: 153.