Ulrich Wahl


AuthID: R-000-HB1

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41
TÍTULO: Direct evidence for As as a Zn-site impurity in ZnO
AUTORES: Wahl, U ; Rita, E; Correia, JG ; Marques, AC ; Alves, E ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 21
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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42
TÍTULO: Lattice sites of implanted Fe in Si
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Rita, E; Araujo, JP ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 72, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 23
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43
TÍTULO: Near-band-edge slow luminescence in nominally undoped bulk ZnO  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Neves, AJ ; Carmo, MC; Soares, MJ ; Peres, M; Wang, J; Alves, E ; Rita, E; Wahl, U ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 98, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 46
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44
TÍTULO: The atomic structure of defects formed during doping of GaN with rare earth ions  Full Text
AUTORES: Wojtowicz, T; Ruterana, P; Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Ruffenach, S; Halambalakis, G; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Science and Technology of Nitrides and Related Materials/Wide Band Gap II-VI Semiconductors held at the E-MRS 2004 Fall Meeting in E-MRS 2004 Fall Meeting Symposia C and F, VOLUME: 2, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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45
TÍTULO: Amorphisation of GaN during processing with rare earth ion beams  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 36, NÚMERO: 4-6
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46
TÍTULO: Annealing of BaTiO3 thin films after heavy ion implantation  Full Text
AUTORES: Dietrich, M; Buchal, C; Correia, JG ; Deicher, M; Schmid, M; Uhrmacher, M; Vetter, U; Wahl, U ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Ion Beams for Nanoscale Surface Modifications held as the European-Materials-Research-Society in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 216, NÚMERO: 1-4
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47
TÍTULO: Characterisation of defects in rare earth implanted GaN by deep level transient spectroscopy  Full Text
AUTORES: Colder, A; Marie, P; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Eimer, S; Mechin, L; Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Matias, V; Mamor, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 36, NÚMERO: 4-6
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TÍTULO: High-temperature annealing and optical activation of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 85, NÚMERO: 14
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49
TÍTULO: Influence of O and C co-implantation on the lattice site of Er in GaN  Full Text
AUTORES: De Vries, B; Matias, V; Vantomme, A; Wahl, U ; Rita, EMC; Alves, E ; Lopes, AML ; Correia, JG ; The ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 84, NÚMERO: 21
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 14
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50
TÍTULO: Lattice location and stability of implanted Cu in ZnO
AUTORES: Wahl, U ; Rita, E; Correia, JG ; Alves, E ; Soares, JG;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 69, NÚMERO: 1
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