131
TÍTULO: (p,p) non-Rutherford backscattering analysis of silicon carbide  Full Text
AUTORES: Dai, Z; Soares, JC ; Silva, MF; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 142, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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132
TÍTULO: Air-gap amorphous silicon thin film transistors  Full Text
AUTORES: Boucinha, M; Chu, V ; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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133
TÍTULO: Mobility-lifetime product in microdoped amorphous silicon deposited by hot-wipe chemical vapor deposition  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Castanha, R; Brogueira, P ; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology (ICAMS 17) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 227, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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134
TÍTULO: Photoluminescence of polymer-like amorphous carbon films grown in different plasma reactors  Full Text
AUTORES: Bouree, JE; Heitz, T; Godet, C; Drevillon, B; Conde, JP ; Chu, V ; Berberan Santos, MN ; Fedorov, A ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology (ICAMS 17) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 227, NÚMERO: PART 1
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135
TÍTULO: Wide band gap a-SiC : H films for optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Giorgis, F; Giuliani, F; Pirri, CF; Tresso, E; Conde, JP ; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology (ICAMS 17) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 227, NÚMERO: PART 1
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136
TÍTULO: Amorphous and microcrystalline silicon deposited by low-power electron-cyclotron resonance plasma-enhanced chemical-vapor deposition
AUTORES: Conde, JP ; Schotten, V; Arekat, S; Brogueira, P ; Sousa, R; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, VOLUME: 36, NÚMERO: 1A
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137
TÍTULO: Amorphous and microcrystalline silicon films obtained by hot-wire chemical vapour deposition using high filament temperatures between 1900 and 2500 degrees C
AUTORES: Conde, JP ; Brogueira, P ; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, VOLUME: 76, NÚMERO: 3
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138
TÍTULO: Amorphous silicon thin-film transistors with a hot-wire active-layer deposited at high growth rate
AUTORES: Chu, V ; Jarego, J; Silva, H; Silva, T; Boucinha, M; Brogueira, P ; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology in AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY - 1997, VOLUME: 467
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139
TÍTULO: Doping of amorphous and microcrystalline silicon films deposited by hot-wire chemical vapor deposition using phosphine and trimethylboron
AUTORES: Brogueira, P ; Chu, V ; Ferro, AC ; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, VOLUME: 15, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 27
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140
TÍTULO: Improved mobility of amorphous silicon thin-film transistors deposited by hot-wire chemical vapor deposition on glass substrates  Full Text
AUTORES: Chu, V ; Jarego, J; Silva, H; Silva, T; Reissner, M; Brogueira, P ; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 70, NÚMERO: 20
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