61
TÍTULO: Theoretical studies of hydrogen passivated substitutional magnesium acceptor in wurzite GaN
AUTORES: Torres, VJB ; Oberg, S; Jones, R;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH, VOLUME: 2, NÚMERO: 33-41
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID
62
TÍTULO: Theory of nitrogen-hydrogen complexes in GaP
AUTORES: Torres, VJB ; Oberg, S; Jones, R;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID
63
TÍTULO: EARLY STAGES OF SILICON OXIDATION  Full Text
AUTORES: TORRES, VJB ; STONEHAM, AM; SOFIELD, CJ; HARKER, AH; CLEMENT, CF;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: INTERFACE SCIENCE, VOLUME: 3, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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TÍTULO: Peculiarities of interstitial carbon and di-carbon defects in Si
AUTORES: Jones, R; Oberg, S; Leary, P; Torres, V ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 18th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-18) in ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4, VOLUME: 196-, NÚMERO: pt 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID
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