Vitor José Babau Torres
AuthID: R-000-HKG
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TÃTULO: Raman study of Cd1-xZnxTe phonons and phonon-polaritons-Experiment and ab initio calculations
AUTORES: Alhaddad, T.; Shoker, M. B.; Pages, O.; Postnikov, A. V.; Torres, V. J. B.; Polian, A.; Le Godec, Y.; Itie, J. P.; Broch, L.; Bouzouraa, M. B.; Naciri, A. En; Diliberto, S.; Michel, S.; Franchetti, P.; Marasek, A.; Strzalkowski, K.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 133, NÚMERO: 6
AUTORES: Alhaddad, T.; Shoker, M. B.; Pages, O.; Postnikov, A. V.; Torres, V. J. B.; Polian, A.; Le Godec, Y.; Itie, J. P.; Broch, L.; Bouzouraa, M. B.; Naciri, A. En; Diliberto, S.; Michel, S.; Franchetti, P.; Marasek, A.; Strzalkowski, K.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 133, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Erratum: Raman study of Cd1- xZn xTe phonons and phonon-polaritons - Experiment and ab initio calculations (J. Appl. Phys. (2023) 133 (065701) DOI: 10.1063/5.0134454)
AUTORES: Alhaddad, T; Shoker, MB; Pagès, O; Postnikov, AV; Torres, VJB; Polian, A; Le Godec, Y; Itié, JP; Broch, L; Bouzourâa, MB; En Naciri, A; Diliberto, S; Michel, S; Franchetti, P; Marasek, A; Strzałkowski, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 133, NÚMERO: 13
AUTORES: Alhaddad, T; Shoker, MB; Pagès, O; Postnikov, AV; Torres, VJB; Polian, A; Le Godec, Y; Itié, JP; Broch, L; Bouzourâa, MB; En Naciri, A; Diliberto, S; Michel, S; Franchetti, P; Marasek, A; Strzałkowski, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 133, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Theory of reactions between hydrogen and group-III acceptors in silicon
AUTORES: Coutinho, Jose; Gomes, Diana; Torres, Vitor J. B.; Fattah, Tarek O. Abdul; Markevich, Vladimir P.; Peaker, Anthony R.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 108, NÚMERO: 1
AUTORES: Coutinho, Jose; Gomes, Diana; Torres, Vitor J. B.; Fattah, Tarek O. Abdul; Markevich, Vladimir P.; Peaker, Anthony R.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 108, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Vibrational-mechanical properties of the highly-mismatched Cd1-xBexTe semiconductor alloy: experiment and ab initio calculations
AUTORES: Elmahjoubi, A.; Shoker, M. B.; Pages, O.; Torres, V. J. B.; Polian, A.; Postnikov, A. V.; Bellin, C.; Beneut, K.; Gardiennet, C.; Kervern, G.; Naciri, A. En; Broch, L.; Hussein, R. Hajj; Itie, J. P.; Nataf, L.; Ravy, S.; Franchetti, P.; Diliberto, S.; Michel, S.; Abouais, A.; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Elmahjoubi, A.; Shoker, M. B.; Pages, O.; Torres, V. J. B.; Polian, A.; Postnikov, A. V.; Bellin, C.; Beneut, K.; Gardiennet, C.; Kervern, G.; Naciri, A. En; Broch, L.; Hussein, R. Hajj; Itie, J. P.; Nataf, L.; Ravy, S.; Franchetti, P.; Diliberto, S.; Michel, S.; Abouais, A.; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Exceptional phonon point versus free phonon coupling in Zn1-xBexTe under pressure: an experimental and ab initio Raman study
AUTORES: Shoker, MB; Alhaddad, T; Pages, O; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Hussein, RH; Pradhan, GK; Narayana, C; Gardiennet, C; Kervern, G; Nataf, L; Ravy, S; Itie, JP; Strzalkowski, K; Marasek, A; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
AUTORES: Shoker, MB; Alhaddad, T; Pages, O; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Hussein, RH; Pradhan, GK; Narayana, C; Gardiennet, C; Kervern, G; Nataf, L; Ravy, S; Itie, JP; Strzalkowski, K; Marasek, A; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Theory of shallow and deep boron defects in 4H-SiC
AUTORES: Torres, Vitor J. B.; Capan, Ivana; Coutinho, Jose;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 106, NÚMERO: 22
AUTORES: Torres, Vitor J. B.; Capan, Ivana; Coutinho, Jose;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 106, NÚMERO: 22
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TÃTULO: Silicon carbide diodes for neutron detection
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Capan, I; Brodar, T; Eres, Z; Bernat, R; Radulovic, V; Ambrozic, K; Snoj, L; Pastuovic, Z; Sarbutt, A; Ohshima, T; Yamazaki, Y; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, VOLUME: 986
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Capan, I; Brodar, T; Eres, Z; Bernat, R; Radulovic, V; Ambrozic, K; Snoj, L; Pastuovic, Z; Sarbutt, A; Ohshima, T; Yamazaki, Y; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, VOLUME: 986
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TÃTULO: Engineering Silicon Carbide for Enhanced Borders and Ports Security
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Ereš, Z; Bernat, R; Pastuović, Ž; Sarbutt, A; Coutinho, J; Torres, V; Radulović, V; Snoj, L; Ambrožič, K; Ohshima, T; Yamazaki, Y; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Ereš, Z; Bernat, R; Pastuović, Ž; Sarbutt, A; Coutinho, J; Torres, V; Radulović, V; Snoj, L; Ambrožič, K; Ohshima, T; Yamazaki, Y; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics
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TÃTULO: Phonon-based partition of (ZnSe-like) semiconductor mixed crystals on approach to their pressure-induced structural transition
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Torres, VJB; Polian, A; Itie, JP; Pradhan, GK; Narayana, C; Rao, MN; Rao, R; Gardiennet, C; Kervern, G; Strzalkowski, K; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 10, NÚMERO: 1
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Torres, VJB; Polian, A; Itie, JP; Pradhan, GK; Narayana, C; Rao, MN; Rao, R; Gardiennet, C; Kervern, G; Strzalkowski, K; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 10, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Multi-phonon (percolation) behavior and local clustering of CdxZn1-xSe-cubic mixed crystals (x <= 0.3): A Raman-ab initio study
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Dicko, H; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Firszt, F; Strzalkowski, K; Naciri, AE; Broch, L; Rao, MN; Rao, R; Maillard, A; Itie, JP;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 10
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Dicko, H; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Firszt, F; Strzalkowski, K; Naciri, AE; Broch, L; Rao, MN; Rao, R; Maillard, A; Itie, JP;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 10
