1
TÍTULO: Atomistic model of ultra-smooth amorphous thin film growth by low-energy ion-assisted physical vapour deposition  Full Text
AUTORES: Alvarez, R; Vazquez, L; Gago, R; Redondo Cubero, A ; Cotrino, J; Palmero, A;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 46, NÚMERO: 39
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2
TÍTULO: Effect of rapid thermal annealing on the composition of Au/Ti/Al/Ti ohmic contacts for GaN-based microdevices  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Ynsa, MD; Romero, MF; Alves, LC; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 306
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3
TÍTULO: Nanostructures and thin films of transparent conductive oxides studied by perturbed angular correlations  Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
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TÍTULO: Single phase alpha-plane MgZnO epilayers for UV optoelectronics: substitutional behaviour of Mg at large contents
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Hierro, A; M Chauveau; Lorenz, K ; Tabares, G; Franco, N; Alves, E ; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: CRYSTENGCOMM, VOLUME: 14, NÚMERO: 5
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5
TÍTULO: Sublattice-specific ordering of ZnO layers during the heteroepitaxial growth at different temperatures  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Vinnichenko, M; Krause, M; Muecklich, A; Munoz, E; Kolitsch, A; Gago, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 110, NÚMERO: 11
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6
TÍTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; di Forte D Poisson; Alves, E ; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 43, NÚMERO: 5
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7
TÍTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
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TÍTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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TÍTULO: Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers  Full Text
AUTORES: Tasco, V; Campa, A; Tarantini, I; Passaseo, A; Gonzalez Posada, F; Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 6
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