Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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251
TÍTULO: Relaxation of compressively strained AlInN on GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 18
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252
TÍTULO: Role of the oxygen partial pressure on the properties of undoped tin oxide films deposited at low temperature  Full Text
AUTORES: Parreira, P; Valente, J; Lavareda, G ; Nunes N de Carvalho; Ramos, AR ; Alves, E ; Brogueira, P ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: E-MRS 2007 Spring Meeting Symposium on Advances in Transparent Electronics: From Materials to Devices II in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 8
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253
TÍTULO: Structural and Mechanical Properties of AZOY Thin Films Deposited on Flexible Substrates
AUTORES: Oliveira, C; Costa, CM; Rebouta, L ; Viseu, T ; De Lacerda Aroso, T; Lanceros Mendez, S ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
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254
TÍTULO: Structural study of the oxidation process and stability of NbO(x)N(y) coatings  Full Text
AUTORES: Chappe, JM; Carvalho, P; Machado, AV ; Vaz, F ; Alves, E ; Barradas, NP ; Fenker, M; Kappl, H;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 22
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255
TÍTULO: Study of SiGe Alloys with Different Germanium Concentrations Implanted with Mn and As Ions
AUTORES: Magalhaes, S; Sobolev, NA; Abrosimov, NV; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
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256
TÍTULO: Two colour experiments in Eu3+ implanted GaN  Full Text
AUTORES: Bodiou, L; Braud, A; Doualan, JL; Moncorge, R; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 6th International Conference on f-Elements (ICFE-6) in JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, VOLUME: 451, NÚMERO: 1-2
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257
TÍTULO: Visible and infrared luminescence study of Er doped beta-Ga2O3 and Er3Ga5O12  Full Text
AUTORES: Nogales, E; Garcia, JA; Mendez, B; Piqueras, J; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 41, NÚMERO: 6
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258
TÍTULO: Anisotropic ferromagnetism induced in rutile single crystals by Co implantation  Full Text
AUTORES: Pinto, JV ; Cruz, MM ; da Silva, RC; Franco, N; Casaca, A ; Alves, E ; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
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259
TÍTULO: Arsenic in ZnO and GaN: Substitutional cation or anion sites?
AUTORES: Ulrich Wahl ; Joao Guilherme Correia ; Elisabete Rita; Ana Claudia Marques; Eduardo Alves ; Jose Carvalho Soares ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Symposium on Semiconductor Defect Engineering Materials, Synthetic Structures and Devices II held at the 2007 MRS Spring Meeting in SEMICONDUCTOR DEFECT ENGINEERING-MATERIALS, SYNTHETIC STRUCTURES AND DEVICES II, VOLUME: 994
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260
TÍTULO: Copper and cobalt nanocolloids in implanted MgO crystals  Full Text
AUTORES: Savoini, B; Gonzalez, R; Pinto, JV ; da Silva, RC; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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