Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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291
TÍTULO: Beam analysis of Ge/Si dots grown on ultrathin SiO2 interlayers
AUTORES: Fonseca, A; Alves, E ; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Carmo, MC; Nikiforov, AI;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 2
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292
TÍTULO: Behaviour of the AlN cap during GaN implantation of rare earths and annealing  Full Text
AUTORES: Florence Gloux; Tomasz Wojtowicz; Pierre Ruterana; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Interfacial Processes and Properties of Advanced Materials held at the 2005 E-MRS Fall Meeting in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 203, NÚMERO: 9
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293
TÍTULO: Blue cathodoluminescence from thulium implanted AlxGa1-xN and InxAl1-xN  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
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294
TÍTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted AlInN  Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 13
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295
TÍTULO: Characterization of nickel implanted alpha-Al(2)O(3)
AUTORES: Marques, C; Franco, N; da Silva, RC; Wemans, A; Maneira, MJP; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
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296
TÍTULO: Characterization of the blue emission of Tm/Er co-implanted GaN
AUTORES: Roqan, IS; Trager Cowan, C; Hourahine, B; Lorenz, K ; Nogales, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 2005 Materials Research Society Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 892
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297
TÍTULO: Combination of IBA techniques for composition analysis of GaInAsSb films
AUTORES: Corregidor, V; Chaves, PC ; Miguel A. Reis ; Pascual Izarra, C; Alves, E ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 2
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298
TÍTULO: Compositional and structural changes in ZrOxNy films depending on growth condition  Full Text
AUTORES: Carvalho, P; Fernandes, AC; Rebouta, L ; Vaz, F ; Cunha, L ; Kreissig, U; Barradas, NP ; Ramos, AR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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299
TÍTULO: Damage behaviour of GaAs/AlAs multilayer structures  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Fonseca, A; Franco, N; Barradas, NP ; Sobolev, N; Hey, R; Grahn, H; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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300
TÍTULO: Defect production in neutron irradiated GaN  Full Text
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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