Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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431
TÍTULO: Study of silica-titania films doped with Er and Ag by RBS and ERDA  Full Text
AUTORES: Marques, AC ; Ramos, AR ; Alves, E ; Almeida, RM ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 16th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 219, NÚMERO: 1-4
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432
TÍTULO: The effect of temperature on the structure of iron-implanted sapphire  Full Text
AUTORES: McHargue, CJ; Ononye, LC; Alves, E ; Marques, C; Allard, LF;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 12th International Conference on Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 218, NÚMERO: 1-4
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433
TÍTULO: The role of microstructure in luminescent properties of Er-doped nanocrystalline Si thin films
AUTORES: Stepikhova, MV; Cerqueira, MF ; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Conference Dedicated to Oleg Vladimirovich Losev (1903-1942) - Pioneer of Semiconductor Electronics in PHYSICS OF THE SOLID STATE, VOLUME: 46, NÚMERO: 1
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434
TÍTULO: Annealing behavior and lattice site location of Er implanted InGaN  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Wahl, U ; Correia, MR ; Pereira, S ; De Vries, B; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
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435
TÍTULO: Dielectric function of nanocrystalline silicon with few nanometers (< 3 nm) grain size  Full Text
AUTORES: Losurdo, M; Giangregorio, MM; Capezzuto, P; Bruno, G; Cerqueira, MF ; Alves, E ; Stepikhova, M;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 82, NÚMERO: 18
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436
TÍTULO: Effects of the morphology and structure on the elastic behavior of (Ti,Si,Al)N nanocomposites  Full Text
AUTORES: Carvalho, S ; Ribeiro, E; Rebouta, L ; Vaz, F ; Alves, E ; Schneider, D; Cavaleiro, A ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 8th International Conference on Plasma Surface Engineering in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 174
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437
TÍTULO: Electron micro-probe analysis and cathodoluminescence spectroscopy of rare earth implanted GaN
AUTORES: Dalmasso, S; Martin, RW; Edwards, PR; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Pipeleers, B; Matias, V; Vantomme, A; Nakanishi, Y; Wakahara, A; Yoshida, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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438
TÍTULO: High temperature chemical compatibility between SiC composites and Be pebbles  Full Text
AUTORES: Alves, LC ; Paul, A; da Silva, MR ; Aves, E ; Riccardi, B; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 8th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 210
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439
TÍTULO: High temperature implantation of Tm in GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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440
TÍTULO: Implantation and annealing studies of Tm-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Monteiro, T ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
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