Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

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101
TÍTULO: Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductors thin-film transistors  Full Text
AUTORES: Lopes, ME; Gomes, HL ; Medeiros, MCR; Barquinha, P ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 161
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102
TÍTULO: High mobility a-IGO films produced at room temperature and their application in TFTs
AUTORES: Gonalves, G; Barquinha, P ; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus
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103
TÍTULO: High near-infrared transparency and carrier mobility of Mo doped In2O3 thin films for optoelectronics applications  Full Text
AUTORES: Parthiban, S; Elangovan, E; Ramamurthi, K; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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104
TÍTULO: High near-infrared transparent molybdenum-doped indium oxide thin films for nanocrystalline silicon solar cell applications  Full Text
AUTORES: Parthiban, S; Gokulakrishnan, V; Ramamurthi, K; Elangovan, E; Martins, R ; Fortunato, E ; Ganesan, R;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, VOLUME: 93, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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105
TÍTULO: Highly conductive p-type nanocrystalline silicon films deposited by RF-PECVD using silane and trimethylboron mixtures at high pressure  Full Text
AUTORES: Filonovich, SA ; Aguas, H ; Bernacka Wojcik, I; Gaspar, C; Vilarigues, M ; Silva, LB; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 5th European Topical Conference on Hard Coating in VACUUM, VOLUME: 83, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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106
TÍTULO: Indium molybdenum oxide thin films: A comparative study by two different RF sputtering systems  Full Text
AUTORES: Elangovan, E; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 206, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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107
TÍTULO: Intrinsic p Type ZnO Films Deposited by rf Magnetron Sputtering
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Rodrigo Martins ; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Peres, M; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 6th International Conference on Nanoscience and Technology in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 9, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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TÍTULO: Oxide semiconductors: Order within the disorder  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pereira, L ; Barquinha, P ; Ferreira, I ; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE, VOLUME: 89, NÚMERO: 28-30
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
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110
TÍTULO: P-type ZnO thin film deposited by spray pyrolysis technique: The effect of solution concentration  Full Text
AUTORES: Golshahi, S; Rozati, SM; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 2nd International Symposium on Transparent Conducting Oxides in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 4
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