51
TÍTULO: Enhancement of the electrical properties of ITO deposited on polymeric substrates by using a ZnO buffer layer
AUTORES: Fortunato, E ; Goncalves, A; de Carvalho, CN ; Pimentel, A ; Lavareda, G ; Marques, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Flexible Electronics-Materials and Device Technology held at the 2004 MRS Spring Meeting in FLEXIBLE ELECTRONICS 2004-MATERIALS AND DEVICE TECHNOLOGY, VOLUME: 814
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 2
52
TÍTULO: High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Goncalves, A; Lavareda, G ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Carvalho, CN ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338
INDEXADO EM: WOS
53
TÍTULO: High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Goncalves, A; Lavareda, G ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Carvalho, CN ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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54
TÍTULO: Improvement of field-effect mobilities in TFTs: Surface plasma treatments vs stack dielectric structures
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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55
TÍTULO: ITO films deposited by rf-PERTE on unheated polymer substrates-properties dependence on In-Sn alloy composition  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Vilarinho, R; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
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56
TÍTULO: Large area single and stacked p-i-n photodiodes as a color image sensors
AUTORES: Louro, P ; Fernandes, M ; Fantoni, A ; Macarico, A; de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Vieira, M ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Silicon Carbide-Materials, Processing and Devices held at the 2004 MRS Spring Meeting in SILICON CARBIDE 2004-MATERIALS, PROCESSING AND DEVICES, VOLUME: 815
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57
TÍTULO: Optimisation of a home-made RIE system - Effect of SF6 plasma on the properties of partially etched a-Si : H films
AUTORES: Pereira, P; Lavareda, G ; do Rego, AMB ; Amaral, A ; de Carvalho, CN ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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58
TÍTULO: Positron annihilation studies in amorphous silicon nitride
AUTORES: Gordo, PM ; Naia, MD ; Gill, CL; de Lima, AP; Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Kajcsos, Z;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 13th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-13) in POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, VOLUME: 445-6
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59
TÍTULO: Properties of a-Si : H TFTs using silicon carbonitride as dielectric  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Fortunato, E ; Amaral, A ; Ramos, AR ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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60
TÍTULO: Properties of ITO films deposited by plasma enhanced RTE on unheated polymer sheets - dependence on rf electrode distance from substrates  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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