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Henrique Leonel Gomes
AuthID:
R-000-5XR
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Article (66)
Proceedings Paper (20)
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1996
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1994
1993
1992
1991
Order:
Ano Dsc
Ano Asc
Cit. WOS Dsc
IF WOS Dsc
Cit. Scopus Dsc
IF Scopus Dsc
Título Asc
Título Dsc
Results:
10
20
30
40
50
Publicações Confirmadas: 86
21
TÃTULO:
Switching speed in resistive random access memories (RRAMS) based on plastic semiconductor
AUTORES:
Rocha, PF
;
Gomes, HL
;
Kiazadeh, A
;
Chen, Q
; De Leeuw, DM;
Meskers, SCJ
;
PUBLICAÇÃO:
2011
,
FONTE:
2011 MRS Spring Meeting
in
Materials Research Society Symposium Proceedings,
VOLUME:
1337
INDEXADO EM:
Scopus
CrossRef
NO MEU:
ORCID
22
TÃTULO:
Confocal Scanning Raman Spectroscopy (CSRS) Of An Operating Organic Light-Emitting Diode
AUTORES:
Paez Sierra, BA;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
22nd International Conference on Raman Spectroscopy
in
XXII INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY,
VOLUME:
1267
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
23
TÃTULO:
Electrical properties of thin-films wide-band gap semiconductor TiO(2) prepared by CVD
Full Text
AUTORES:
Bessergenev, V
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS23)
in
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4,
VOLUME:
7,
NÚMERO:
3-4
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
24
TÃTULO:
Strategies to Optimize Biosensors Based on Impedance Spectroscopy to Detect Phytic Acid Using Layer-by-Layer Films
Full Text
AUTORES:
Marli L Moraes; Rafael M Maki; Fernando V Paulovich; Ubirajara P Rodrigues Filho;
Maria Cristina F de Oliveira
;
Antonio Riul
; Nara C de Souza; Marystela Ferreira;
Henrique L Gomes
;
Osvaldo N Oliveira
;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
ANALYTICAL CHEMISTRY,
VOLUME:
82,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
16
NO MEU:
ORCID
25
TÃTULO:
Trapping of electrons in metal oxide-polymer memory diodes in the initial stage of electroforming
Full Text
AUTORES:
Benjamin F Bory;
Stefan C J Meskers
; Rene A J Janssen;
Henrique L Gomes
; Dago M de Leeuw;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
97,
NÚMERO:
22
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
26
TÃTULO:
Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductors thin-film transistors
Full Text
AUTORES:
Lopes, ME
;
Gomes, HL
;
Medeiros, MCR
;
Barquinha, P
;
Pereira, L
;
Fortunato, E
;
Martins, R
;
Ferreira, I
;
PUBLICAÇÃO:
2009
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
95,
NÚMERO:
6
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
161
NO MEU:
ORCID
27
TÃTULO:
Magnetic and transport properties of diluted granular multilayers
Full Text
AUTORES:
Silva, HG
;
Gomes, HL
;
Pogorelov, YG
; Pereira, LMC;
Gleb Kakazei
;
Sousa, JB
;
Araujo, JP
;
Mariano, JFL
;
Cardoso, S
;
Freitas, PP
;
PUBLICAÇÃO:
2009
,
FONTE:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
VOLUME:
106,
NÚMERO:
11
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
5
NO MEU:
ORCID
28
TÃTULO:
Resistive switching in nanostructured thin films
Full Text
AUTORES:
Silva, H
;
Gomes, HL
;
Yu. G Pogorelov
;
Stallinga, P
; de Leeuw, DM;
Araujo, JP
;
Sousa, JB
;
Meskers, SCJ
;
Gleb Kakazei
;
Cardoso, S
;
Freitas, PP
;
PUBLICAÇÃO:
2009
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
94,
NÚMERO:
20
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
24
NO MEU:
ORCID
29
TÃTULO:
Determining carrier mobility with a metal-insulator-semiconductor structure
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Benvenho, ARV
;
Smits, ECP
;
Mathijssen, SGJ
; Colle, M;
Gomes, HL
; de Leeuw, DM;
PUBLICAÇÃO:
2008
,
FONTE:
ORGANIC ELECTRONICS,
VOLUME:
9,
NÚMERO:
5
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
30
TÃTULO:
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors III. Normally-on devices
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2008
,
FONTE:
SYNTHETIC METALS,
VOLUME:
158,
NÚMERO:
11
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
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