Henrique Leonel Gomes


AuthID: R-000-5XR

Publicações Confirmadas: 86



71
TÍTULO: Influence of the metal center on the morphology of coordination compounds thin films  Full Text
AUTORES: Toffolo, F; Brinkmann, M; Greco, O; Biscarini, F; Taliani, C; Gomes, HL ; Aiello, I; Ghedini, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals (ICSM 98) in SYNTHETIC METALS, VOLUME: 101, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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72
TÍTULO: Interface properties and capacitance-voltage behaviour of diamond devices prepared by microwave-assisted CVD  Full Text
AUTORES: Rodrigues, AM; Gomes, HL ; Rees, JA; Pereira, L; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: IV International Workshop on Surface and Bulk Defects in CVD Diamond and Related Films in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 174, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
NO MEU: ORCID
73
TÍTULO: Photocurrents in P3MeT Schottky barrier diodes  Full Text
AUTORES: Jones, GW; Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals (ICSM 98) in SYNTHETIC METALS, VOLUME: 101, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
74
TÍTULO: Electrical characterization of semiconducting polymers
AUTORES: Stallinga, P; Gomes, HL ; Jones, GW; Taylor, DM;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: XXVII International School on Physics of Semiconducting Compounds in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 94, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS
75
TÍTULO: Photoconductivity and electrical properties of diamond films grown by MPCVD  Full Text
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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76
TÍTULO: Schottky barrier diodes from diamond grown by microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPCVD)
AUTORES: Pereira, L; Gomes, HL ; Rodrigues, A ; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 2nd International Symposium on Diamond Electronics Devices (ISDED-2) in DIAMOND FILMS AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS
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77
TÍTULO: DLTS investigation of acceptor states in P3MeT Schottky barrier diodes  Full Text
AUTORES: Jones, GW; Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: International Conference on the Science and Technology of Synthetic Metals in SYNTHETIC METALS, VOLUME: 85, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
78
TÍTULO: Influence of fabrication conditions on the electrical behaviour of polymer Schottky diodes  Full Text
AUTORES: Gomes, HL ; Jones, GW; Taylor, DM;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: International Conference on the Science and Technology of Synthetic Metals in SYNTHETIC METALS, VOLUME: 85, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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79
TÍTULO: Schottky barrier diodes from semiconducting polymers
AUTORES: Gomes, HL ; Taylor, DM;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: IEE Colloquium on Molecular Electronic Devices in IEE PROCEEDINGS-CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS, VOLUME: 144, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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80
TÍTULO: Study of defects in diamond films by electrical measurements
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
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