201
TÍTULO: OPTICAL AND TRANSPORT-PROPERTIES OF A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR CELLS, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
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202
TÍTULO: SIMPLE PROCEDURE FOR GENERATING SEQUENCES OF DAILY RADIATION VALUES USING A LIBRARY OF MARKOV TRANSITION MATRICES  Full Text
AUTORES: AGUIAR, RJ; COLLARESPEREIRA, M; CONDE, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR ENERGY, VOLUME: 40, NÚMERO: 3
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203
TÍTULO: A-SI:H,F/A-SI,GE:H,F SUPERLATTICES AS LOW BANDGAP ABSORBERS FOR SOLAR CELLS.
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Aljishi, S; Shen, DS; Smith, ZE; Kolodzey, J; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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204
TÍTULO: CARRIER TRANSPORT MECHANISMS IN A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; SHEN, DS; ANGELL, M; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 97-8, NÚMERO: PART 2
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205
TÍTULO: ELECTRON COLLECTION EFFICIENCY OF A-SI,GE:H,F AT 300K TO 400K.
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Aljishi, S; Smith, ZE; Chu, V; Kolodzey, J; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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206
TÍTULO: FEMTOSECOND SPECTROSCOPY IN AMORPHOUS-SILICON AND SILICON-GERMANIUM ALLOYS  Full Text
AUTORES: FAUCHET, PM; HULIN, D; MIGUS, A; ANTONETTI, A; CONDE, JP ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 97-8, NÚMERO: PART 1
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207
TÍTULO: SCHOTTKY BARRIER DEVICES ON A-SI,GE:H,F ALLOYS.
AUTORES: Chu, V; Aljishi, S; Conde, JP ; Smith, ZE; Shen, DS; Slobodin, D; Kolodzey, J; Wronski, CR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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208
TÍTULO: MICROCRYSTALLINITY IN alpha -Si, Ge:H,F ALLOYS.
AUTORES: Shen, DS; Kolodzey, J; Slobodin, D; Conde, JP ; Lane, C; Campbell, IH; Fauchet, PM; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: Materials Issues in Amorphous Semiconductor Technology. in Materials Research Society Symposia Proceedings, VOLUME: 70
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