José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

Publicações Confirmadas: 105



91
TÍTULO: Electrical activity of chalcogen-hydrogen defects in silicon
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 67, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 72
NO MEU: ORCID
92
TÍTULO: Electronic properties of vacancy-oxygen complexes in SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR; Auret, FD; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
NO MEU: ORCID
93
TÍTULO: Electronic structure of divacancy-hydrogen complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Workshop on the Physics of Group IV Materials in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 15, NÚMERO: 39
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
94
TÍTULO: Interaction between oxygen and single self-interstitials in silicon  Full Text
AUTORES: Pinho, N; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
NO MEU: ORCID
95
TÍTULO: Shallow donor activity of S-H, Se-H, and Te-H complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 235, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
96
TÍTULO: Structure and electrical activity of rare-earth dopants in selected III-Vs
AUTORES: Filhol, JS; Petit, S; Jones, R; Hourahine, B; Th Frauenheim; Overhof, H; Coutinho, J ; Shaw, MJ; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: GaN and Related Alloys - 2003 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 798
INDEXADO EM: Scopus
97
TÍTULO: The formation, dissociation and electrical activity of divacancy-oxygen complexes in Si  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
NO MEU: ORCID
98
TÍTULO: Interstitial carbon-oxygen center and hydrogen related shallow thermal donors in Si
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 65, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus
99
TÍTULO: Isotopic effects on vibrational modes of thermal double donors in Si and Ge  Full Text
AUTORES: Murin, LI; Lindstrom, JL; Markevich, VP; Hallberg, T; Litvinov, VV; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
100
TÍTULO: Over-coordinated oxygen in the interstitial carbon-oxygen complex  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 308-310
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 6
NO MEU: ORCID
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