José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

Publicações Confirmadas: 105



51
TÍTULO: Calculation of deep carrier traps in a divacancy in germanium crystals  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Carvalho, A; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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52
TÍTULO: Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 51
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53
TÍTULO: Early SiO2 precipitates in Si: Vacancy-oxygen versus interstitial-oxygen clusters  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
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54
TÍTULO: Energy levels of atomic hydrogen in germanium from ab-initio calculations  Full Text
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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55
TÍTULO: First-principles investigation of a bistable boron-oxygen interstitial pair in Si
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Sanati, M; Estreicher, SK; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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56
TÍTULO: Formation energy and migration barrier of a Ge vacancy from ab initio studies  Full Text
AUTORES: Pinto, HM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Oeberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 34
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57
TÍTULO: Hydrogen self-trapping near silicon atoms in Ge-rich SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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58
TÍTULO: Local modes of hydrogen defects in Si : Ge and Ge : Si  Full Text
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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59
TÍTULO: Local vibrations of interstitial carbon in SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Khirunenkko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, MG; Trypachko, MO; Duvanskii, A; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Abrosimov, NV; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS
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TÍTULO: Local vibrations of substitutional carbon in SiGe alloys
AUTORES: Khirunenko, L; Pomozov, Y; Sosnin, M; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Abrosimov, NV; Riemann, H; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
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