Maria Eduarda da Cunha Pereira
AuthID: R-000-B9J
291
TÃTULO: Evaluation of adherence of diamond coating by indentation method Full Text
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Adherent diamond coating on copper using an interlayer Full Text
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Strain relaxation in GaN films as a function of growth direction and buffer layer measured by Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Seitz, R; Monteiro, T ; Pereira, E; Di Forte Poisson, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1999 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) in Physica Status Solidi (A) Applied Research, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
AUTORES: Seitz, R; Monteiro, T ; Pereira, E; Di Forte Poisson, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1999 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) in Physica Status Solidi (A) Applied Research, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: 
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TÃTULO: Comparative analysis of liposomal (ambisome-AMB) and lipid complex (abelcet-ABLC) amphotericin B preparations after intensive and myeloablative chemotherapy regimens.
AUTORES: Lacerda, JMF; Gomez, B; Martins, C; Pereira, ME; Esteves, G; Costa, MJ; Guerra, L; Raposo, J; Carmo, JA; Neves, P; Lacerda, JF;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: BLOOD, VOLUME: 92, NÚMERO: 10
AUTORES: Lacerda, JMF; Gomez, B; Martins, C; Pereira, ME; Esteves, G; Costa, MJ; Guerra, L; Raposo, J; Carmo, JA; Neves, P; Lacerda, JF;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: BLOOD, VOLUME: 92, NÚMERO: 10
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WOS
WOS295
TÃTULO: Preparation of freestanding diamond films by a two-step-growth method
AUTORES: Fan, QH; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 13, NÚMERO: 10
AUTORES: Fan, QH; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 13, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS296
TÃTULO: Stress-relief behavior in chemical-vapor-deposited diamond films Full Text
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 84, NÚMERO: 6
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 84, NÚMERO: 6
297
TÃTULO: Distribution of 1.68 eV emission from diamond films Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Monteiro, I; Pereira, E; Costa, LC ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 84, NÚMERO: 4
AUTORES: Correia, MR ; Monteiro, I; Pereira, E; Costa, LC ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 84, NÚMERO: 4
298
TÃTULO: Photoconductivity and electrical properties of diamond films grown by MPCVD Full Text
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 6
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 6
299
TÃTULO: Time resolved spectroscopy of mid-band-gap emissions in Si-doped GaN Full Text
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Leroux, M; Beaumont, B; Gibart, P;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97) in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 189
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Leroux, M; Beaumont, B; Gibart, P;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97) in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 189
300
TÃTULO: Evaluation of adhesion of diamond coating by thermal quench method Full Text
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 83, NÚMERO: 10
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 83, NÚMERO: 10
