Pedro Miguel Cândido Barquinha
AuthID: R-000-EY1
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TÃTULO: Energy-dependent relaxation time in quaternary amorphous oxide semiconductors probed by gated Hall effect measurements
AUTORES: Socratous, J; Watanabe, S; Banger, KK; Warwick, CN; Branquinho, R; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Sirringhaus, H;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 95, NÚMERO: 4
AUTORES: Socratous, J; Watanabe, S; Banger, KK; Warwick, CN; Branquinho, R; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Sirringhaus, H;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 95, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Solution based zinc tin oxide TFTs: the dual role of the organic solvent Full Text
AUTORES: Salgueiro, D; Kiazadeh, A; Branquinho, R; Santos, L; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 6
AUTORES: Salgueiro, D; Kiazadeh, A; Branquinho, R; Santos, L; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Photocatalytic TiO2 Nanorod Spheres and Arrays Compatible with Flexible Applications Full Text
AUTORES: Nunes, D; Pimentel, A; Santos, L; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: CATALYSTS, VOLUME: 7, NÚMERO: 2
AUTORES: Nunes, D; Pimentel, A; Santos, L; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: CATALYSTS, VOLUME: 7, NÚMERO: 2
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TÃTULO: A Low-Power Analog Adder and Driver Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Bahubalindruni, PG ; Tavares, VG ; Martins, R; Fortunato, E; Barquinha, P;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, VOLUME: 64, NÚMERO: 5
AUTORES: Bahubalindruni, PG ; Tavares, VG ; Martins, R; Fortunato, E; Barquinha, P;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, VOLUME: 64, NÚMERO: 5
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TÃTULO: Boosting Electrical Performance of High-kappa Nanomultilayer Dielectrics and Electronic Devices by Combining Solution Combustion Synthesis and UV Irradiation
AUTORES: Carlos, E; Branquinho, R; Kiazadeh, A; Martins, J; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, VOLUME: 9, NÚMERO: 46
AUTORES: Carlos, E; Branquinho, R; Kiazadeh, A; Martins, J; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, VOLUME: 9, NÚMERO: 46
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TÃTULO: Threshold voltage extraction techniques adaptable from sub-micron CMOS to large-area oxide TFT technologies
AUTORES: Samanta, S; Tiwari, B; Bahubalindruni, PG ; Barquinha, P; Goes, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF CIRCUIT THEORY AND APPLICATIONS, VOLUME: 45, NÚMERO: 12
AUTORES: Samanta, S; Tiwari, B; Bahubalindruni, PG ; Barquinha, P; Goes, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF CIRCUIT THEORY AND APPLICATIONS, VOLUME: 45, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Bias stress and temperature impact on InGaZnO TFTs and circuits Full Text
AUTORES: Jorge Martins; Pydi Bahubalindruni; Ana Rovisco; Asal Kiazadeh; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Materials, VOLUME: 10, NÚMERO: 6
AUTORES: Jorge Martins; Pydi Bahubalindruni; Ana Rovisco; Asal Kiazadeh; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Materials, VOLUME: 10, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Charging effects and surface potential variations of Cu-based nanowires Full Text
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
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TÃTULO: A thermalization energy analysis of the threshold voltage shift in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors under positive gate bias stress Full Text
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
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TÃTULO: InGaZnO TFT behavioral model for IC design Full Text
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
