Peter Stallinga
AuthID: R-000-F4C
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TÃTULO: Nanocomposite field effect transistors based on zinc oxide/polymer blends
AUTORES: Roy, VAL; Xu, ZX; Stallinga, P; Xiang, HF; Yan, B; Che, CM;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: s20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2007 in Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2007; 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC
AUTORES: Roy, VAL; Xu, ZX; Stallinga, P; Xiang, HF; Yan, B; Che, CM;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: s20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2007 in Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2007; 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC
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TÃTULO: Nanocomposite field effect transistors based on Zinc oxide/polymer blends
AUTORES: Vellaisamy A L Roy; Zong Xiang Xu; Peter Stallinga; Hai Feng Xiang; Beiping P Yan; Chi Ming Che;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference in MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2007, DIGEST OF PAPERS
AUTORES: Vellaisamy A L Roy; Zong Xiang Xu; Peter Stallinga; Hai Feng Xiang; Beiping P Yan; Chi Ming Che;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference in MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2007, DIGEST OF PAPERS
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WOS13
TÃTULO: Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors Full Text
AUTORES: Stallinga, P; H.L Gomes;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Synthetic Metals, VOLUME: 156, NÚMERO: 21-24
AUTORES: Stallinga, P; H.L Gomes;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Synthetic Metals, VOLUME: 156, NÚMERO: 21-24
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TÃTULO: Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors Full Text
AUTORES: Stallinga, P; H.L Gomes;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Synthetic Metals, VOLUME: 156, NÚMERO: 21-24
AUTORES: Stallinga, P; H.L Gomes;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Synthetic Metals, VOLUME: 156, NÚMERO: 21-24
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TÃTULO: <title>Meta-stability effects in organic based transistors</title>
AUTORES: Gomes, HL; Stallinga, P; Murgia, M; Biscarini, F; Muck, T; Wagner, V; Smits, E; de Leeuw, DM;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Organic Field-Effect Transistors IV
AUTORES: Gomes, HL; Stallinga, P; Murgia, M; Biscarini, F; Muck, T; Wagner, V; Smits, E; de Leeuw, DM;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Organic Field-Effect Transistors IV
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TÃTULO: Silicon vacancy containing two hydrogen atoms studied with electron paramagnetic resonance and infrared absorption spectroscopy
AUTORES: Johannesen, P; Jakobsen, R; Stallinga, P; Nielsen, BB; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 66, NÚMERO: 23
AUTORES: Johannesen, P; Jakobsen, R; Stallinga, P; Nielsen, BB; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 66, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Electrical characterization of semiconducting polymers
AUTORES: Stallinga, P; Gomes, HL ; Jones, GW; Taylor, DM;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: XXVII International School on Physics of Semiconducting Compounds in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 94, NÚMERO: 3
AUTORES: Stallinga, P; Gomes, HL ; Jones, GW; Taylor, DM;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: XXVII International School on Physics of Semiconducting Compounds in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 94, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Electron paramagnetic resonance study of hydrogen-vacancy defects in crystalline silicon
AUTORES: Stallinga, P; Johannesen, P; Herstrom, S; Bonde Nielsen, K; Bech Nielsen, B; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 58, NÚMERO: 7
AUTORES: Stallinga, P; Johannesen, P; Herstrom, S; Bonde Nielsen, K; Bech Nielsen, B; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 58, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Identification of the silicon vacancy containing a single hydrogen atom by EPR
AUTORES: Bech Nielsen, B; Johannesen, P; Stallinga, P; Bonde Nielsen, K; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 79, NÚMERO: 8
AUTORES: Bech Nielsen, B; Johannesen, P; Stallinga, P; Bonde Nielsen, K; Byberg, JR;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 79, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Study of di-hydrogen-monovacancy defect in silicon
AUTORES: Stallinga, P; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Acta Physica Polonica A, VOLUME: 92, NÚMERO: 5
AUTORES: Stallinga, P; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Acta Physica Polonica A, VOLUME: 92, NÚMERO: 5
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