Peter Stallinga
AuthID: R-000-F4C
21
TÃTULO: Identification of VH in silicon by EPR
AUTORES: Johannesen, P; Byberg, JR; Bech Nielsen, B; Stallinga, P; Bonde Nielsen, K;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 258-263, NÚMERO: PART 1
AUTORES: Johannesen, P; Byberg, JR; Bech Nielsen, B; Stallinga, P; Bonde Nielsen, K;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 258-263, NÚMERO: PART 1
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TÃTULO: Trapping of molecular hydrogen in porous silicon and at Si/SiO2 interfaces and a possible reinterpretation of the Pb center
AUTORES: Peter Stallinga; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 324
AUTORES: Peter Stallinga; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 324
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TÃTULO: Electron paramagnetic resonance study of the NL51 spectrum in hydrogen-implanted silicon Full Text
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 90, NÚMERO: 6
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 90, NÚMERO: 6
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TÃTULO: EPR identification of hydrogen molecules in bulk silicon
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) in Materials Science Forum, VOLUME: 143-4, NÚMERO: pt 2
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) in Materials Science Forum, VOLUME: 143-4, NÚMERO: pt 2
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TÃTULO: Stallinga, Gregorkiewicz, and Ammerlaan reply [2]
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 73, NÚMERO: 10
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 73, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Electron paramagnetic resonance of molecular hydrogen in silicon
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 71, NÚMERO: 1
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ; Yu V Gorelkinskii;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Review Letters, VOLUME: 71, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Electron paramagnetic resonance study of new centres in SiC Full Text
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Materials Science and Engineering B, VOLUME: 11, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Stallinga, P; Gregorkiewicz, T; Ammerlaan, CAJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Materials Science and Engineering B, VOLUME: 11, NÚMERO: 1-4
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