Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
331
TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Role of Trimethylboron to Silane Ratio on the Properties of <I>p</I>-Type Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
NO MEU: 
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ORCID | ResearcherID334
TÃTULO: Preface Full Text
AUTORES: Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Phys. Status Solidi (a) - physica status solidi (a), VOLUME: 206, NÚMERO: 9
AUTORES: Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Phys. Status Solidi (a) - physica status solidi (a), VOLUME: 206, NÚMERO: 9
335
TÃTULO: <title>Paper field effect transistor</title>
AUTORES: Fortunato, E; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
AUTORES: Fortunato, E; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
336
TÃTULO: <title>Zinc oxide and related compounds: order within the disorder</title>
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
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TÃTULO: Self-sustained n-type memory transistor devices based on natural cellulose paper fibers
AUTORES: Rodrigo Martins; Luís Pereira; Pedro Barquinha; Nuno Correia; Gonçalo Gonçalves; Isabel Ferreira; Carlos Dias; Correia N.; Dionísio M.; Silva M.; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Information Display, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Rodrigo Martins; Luís Pereira; Pedro Barquinha; Nuno Correia; Gonçalo Gonçalves; Isabel Ferreira; Carlos Dias; Correia N.; Dionísio M.; Silva M.; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Information Display, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Evidence of cold bubble-like structure in START density limit plasmas Full Text
AUTORES: Ribeiro, C; Jenkins, I; Martin, R; Sykes, A; Walsh, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PLASMA PHYSICS REPORTS, VOLUME: 34, NÚMERO: 9
AUTORES: Ribeiro, C; Jenkins, I; Martin, R; Sykes, A; Walsh, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PLASMA PHYSICS REPORTS, VOLUME: 34, NÚMERO: 9
339
TÃTULO: Relaxation of compressively strained AlInN on GaN Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 18
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Rare earth doping of III-nitride alloys by ion implantation Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
