Virginia Chu
AuthID: R-000-HJ2
191
TÃTULO: a-Si:H, to or from a-Si, Ge:H, F graded-bandgap structures
AUTORES: J.P Conde; Shen, D; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: IEEE Trans. Electron Devices - IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
AUTORES: J.P Conde; Shen, D; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: IEEE Trans. Electron Devices - IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
192
TÃTULO: Amorphous silicon-germanium alloy multilayers for solar cells Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Tanaka, S; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Tanaka, S; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
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TÃTULO: Dangling-bond states in a-Si,Ge:H,F measured by temperature-dependent μτ Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Chu, V; Liu, JZ; Maruyama, A; Aljishi, S; Smith, ZE; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Chu, V; Liu, JZ; Maruyama, A; Aljishi, S; Smith, ZE; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
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TÃTULO: DETERMINATION OF THE DO/- LEVEL IN AMORPHOUS SI,GE-H(F) BY TIME-OF-FLIGHT CHARGE COLLECTION Full Text
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; LIU, JZ; ALJISHI, S; SMITH, ZE; MARUYAMA, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 53, NÚMERO: 16
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; LIU, JZ; ALJISHI, S; SMITH, ZE; MARUYAMA, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 53, NÚMERO: 16
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TÃTULO: OPTICAL AND TRANSPORT-PROPERTIES OF A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR CELLS, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR CELLS, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
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ORCID196
TÃTULO: a-Si:H films deposited at high rates in a 'VHF' silane plasma: Potential for low-cost solar cells Full Text
AUTORES: Shah, A; Sauvain, E; Wyrsch, N; Curtins, H; Leutz, B; Shen, DS; Chu, V; Wagner, S; Schade, H; Chao, HWA;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
AUTORES: Shah, A; Sauvain, E; Wyrsch, N; Curtins, H; Leutz, B; Shen, DS; Chu, V; Wagner, S; Schade, H; Chao, HWA;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
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ORCID197
TÃTULO: Optical and electronic properties of an amorphous silicon-germanium alloy with a 1.28 eV optical gap Full Text
AUTORES: Kolodzey, J; Schwarz, R; Aljishi, S; Chu, V; Shen, DS; Fauchet, PM; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 52, NÚMERO: 6
AUTORES: Kolodzey, J; Schwarz, R; Aljishi, S; Chu, V; Shen, DS; Fauchet, PM; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 52, NÚMERO: 6
198
TÃTULO: SCHOTTKY-BARRIER FORMATION BETWEEN TRANSITION-METALS AND AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM ALLOYS
AUTORES: CHU, V; HORNG, SF; CONDE, JP; KAHN, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
AUTORES: CHU, V; HORNG, SF; CONDE, JP; KAHN, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
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WOS199
TÃTULO: AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOY MULTILAYER STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
AUTORES: CONDE, JP; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
WOS200
TÃTULO: Optical and transport properties of a-Si:H,F/a-Si,Ge:H,F superlattices
AUTORES: J.P Conde; Aljishi, S; Chu, V; D.S Shen; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Solar Cells, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
AUTORES: J.P Conde; Aljishi, S; Chu, V; D.S Shen; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Solar Cells, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
