71
TÍTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
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72
TÍTULO: Structural and optical properties of nitrogen doped ZnO films  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Franco, N; Barradas, NP ; Munnik, F; Monteiro, T ; Peres, M; Wang, J; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 5th European Topical Conference on Hard Coating in VACUUM, VOLUME: 83, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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TÍTULO: Microstructural evolution in tungsten and copper probes under hydrogen irradiation at ISTTOK  Full Text
AUTORES: Nunes, D ; Mateus, R ; Nogueira, ID; Carvalho, PA ; Correia, JB; Shohoji, N; Gomes, RB ; Fernandes, H ; Silva, C ; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 18th International Conference on Plasma-Surface Interactions in Controlled Fusion Devices in JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, VOLUME: 390-91, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Characterisation of titanium beryllides with different microstructure  Full Text
AUTORES: Kurinskiy, P; Chakin, V; Moeslang, A; Rolli, R; Goraieb, AA; Harsch, H; Alves, E ; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th Symposium on Fusion Technology in FUSION ENGINEERING AND DESIGN, VOLUME: 84, NÚMERO: 7-11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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75
TÍTULO: Europium doping of zincblende GaN by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Roqan, IS; Franco, N; O'Donnell, KP; Darakchieva, V; Alves, E ; Trager Cowan, C; Martin, RW; As, DJ; Panfilova, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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76
TÍTULO: Ferromagnetism induced in rutile single crystals by argon and nitrogen implantation  Full Text
AUTORES: Cruz, MM ; da Silva, RC; Franco, N; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 21, NÚMERO: 20
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TÍTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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78
TÍTULO: Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers  Full Text
AUTORES: Tasco, V; Campa, A; Tarantini, I; Passaseo, A; Gonzalez Posada, F; Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 6
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79
TÍTULO: Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown Ta2O5 fibres  Full Text
AUTORES: Macatrao, M; Peres, M; Rubinger, CPL; Soares, MJ ; Costa, LC ; Costa, FM ; Monteiro, T ; Franco, N; Alves, E ; Saggioro, BZ; Andreeta, MRB; Hernandes, AC;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 40, NÚMERO: 2
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TÍTULO: Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) alloys  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Franco, N; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 40, NÚMERO: 2
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