A. K. Geim
AuthID: R-006-H7P
1
TÃTULO: Strong Light-Matter Interactions in Heterostructures of Atomically Thin Films
AUTORES: Britnell, L; Ribeiro, RM ; Eckmann, A; Jalil, R; Belle, BD; Mishchenko, A; J Kim; Gorbachev, RV; Georgiou, T; Morozov, SV; Grigorenko, AN; Geim, AK; Casiraghi, C; Castro Neto, AH; Novoselov, KS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 340, NÚMERO: 6138
AUTORES: Britnell, L; Ribeiro, RM ; Eckmann, A; Jalil, R; Belle, BD; Mishchenko, A; J Kim; Gorbachev, RV; Georgiou, T; Morozov, SV; Grigorenko, AN; Geim, AK; Casiraghi, C; Castro Neto, AH; Novoselov, KS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 340, NÚMERO: 6138
2
TÃTULO: Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures
AUTORES: Britnell, L; Gorbachev, RV; Jalil, R; Belle, BD; Schedin, F; Mishchenko, A; Georgiou, T; Katsnelson, MI; Eaves, L; Morozov, SV; Peres, NMR ; Leist, J; Geim, AK; Novoselov, KS; Ponomarenko, LA;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 335, NÚMERO: 6071
AUTORES: Britnell, L; Gorbachev, RV; Jalil, R; Belle, BD; Schedin, F; Mishchenko, A; Georgiou, T; Katsnelson, MI; Eaves, L; Morozov, SV; Peres, NMR ; Leist, J; Geim, AK; Novoselov, KS; Ponomarenko, LA;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 335, NÚMERO: 6071
3
TÃTULO: The electronic properties of graphene
AUTORES: Castro Neto, AH; Guinea, F; Peres, NMR ; Novoselov, KS; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME: 81, NÚMERO: 1
AUTORES: Castro Neto, AH; Guinea, F; Peres, NMR ; Novoselov, KS; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME: 81, NÚMERO: 1
4
TÃTULO: Optical conductivity of graphene in the visible region of the spectrum
AUTORES: Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 78, NÚMERO: 8
AUTORES: Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 78, NÚMERO: 8
5
TÃTULO: Fine structure constant defines visual transparency of graphene
AUTORES: Nair, RR; Blake, P; Grigorenko, AN; Novoselov, KS; Booth, TJ; Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 320, NÚMERO: 5881
AUTORES: Nair, RR; Blake, P; Grigorenko, AN; Novoselov, KS; Booth, TJ; Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 320, NÚMERO: 5881
6
TÃTULO: Biased bilayer graphene: Semiconductor with a gap tunable by the electric field effect
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
